近年来，随着SiC应用领域的扩展，需求的激增，产业对于SiC外延片品质和产能要求不断提高，SiC外延设备也就占据了产业链上游关键环节。
SiC外延层的制备方法主要有：化学气相沉积（CVD）；液相外延生长（LPE）；分子束外延生长（MBE）等。其中CVD法具有可以精确控制外延膜厚度和掺杂浓度、缺陷较少、生长速度适中、过程可自动控制等优点，是目前已经成功商业化的SiC外延技术 。
2023年6月15日，TrendForce集邦咨询特在深圳福田JW万豪酒店举办“第三代半导体前沿趋势研讨会”。
届时，纳设智能 CEO 陈炳安博士将出席，给大家带来《SiC外延生长装备的创新发展》主题演讲，同场还有更多“重量级”嘉宾，给大家进一步剖析第三代半导体的现状和未来。
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