近日，纳微半导体（Navitas Semiconductor）推出其第五代（Gen 5）GeneSiC™碳化硅技术平台。这一全新平台的发布标志着高性能功率转换领域的一项重大飞跃，其核心在于引入了行业领先的“沟槽辅助平面网格”（Trench-Assisted Planar，简称TAP）架构，旨在满足AI数据中心、可再生能源基础设施及工业电气化对极高能效与系统可靠性的双重需求。
图片来源：纳微半导体
第五代GeneSiC™平台通过TAP架构成功突破了传统碳化硅设计的性能瓶颈。
该技术巧妙地融合了平面型结构（Planar）固有的坚固耐用性与沟槽型结构（Trench）的高单元密度优势。在关键的1200V产品线中，新平台实现了显著的参数优化，RDS（ON）×QGD性能（FoM）相比上一代1200V技术提升了35%，这直接导致了传导损耗与开关损耗的同步大幅降低。同时，高速开关通过QGD/QGS比值提升约25%，这种优化后的电荷平衡使得系统能够支持更高的开关频率，从而有效缩小磁性元件的物理尺寸，大幅度提升系统的整体功率密度。
在系统集成与可靠性方面，第五代平台展现出极强的适应性。其内置的“软体二极管（Soft Body-Diode）”特性能够显著抑制电压过冲并降低电磁干扰（EMI），这对于对噪声敏感的AI电源单元（PSU）以及高功率工业驱动器而言至关重要。
纳微半导体首席执行官Gene Sheridan指出，第五代GeneSiC™不仅是性能上的演进，更是对复杂应用场景下高可靠性需求的深度响应。通过大幅降低系统热负担并提升单位面积功率，该平台为全球能源效率的提升提供了坚实的技术支撑。
目前，第五代GeneSiC™ 1200V系列产品已正式进入样片分发阶段，并优先面向战略合作伙伴供货。纳微半导体计划于2026年下半年进一步扩大该平台的生产规模，并陆续推出覆盖更多电压等级的产品组合，以全面支持全球范围内的碳中和与能源转型目标。
（集邦化合物半导体整理）
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