近年来,随着SiC应用领域的扩展,需求的激增,产业对于SiC外延片品质和产能要求不断提高,SiC外延设备也就占据了产业链上游关键环节。
SiC外延层的制备方法主要有:化学气相沉积(CVD);液相外延生长(LPE);分子束外延生长(MBE)等。其中CVD法具有可以精确控制外延膜厚度...  [详内文]
【会议预告】纳设智能:SiC外延生长装备的创新发展 |
作者 huang, Mia | 发布日期: 2023 年 06 月 02 日 14:50 | | 分类: 碳化硅SiC |