文章分类： 碳化硅SiC

直击2023亚洲充电展：英诺赛科、纳微等17家三代半龙头聚集

作者 | 发布日期: 2023 年 03 月 17 日 10:22 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
3月14日，为期三天的2023（春季）亚洲充电展在深圳正式开幕。现场展示和发布了数千款新品，覆盖电源芯片、功率器件、被动器件、新能源产品、消费类电源、智能化设备等领域。 据TrendForce集邦咨询化合物半导体市场了解到，此次展会，英诺赛科、基本半导体、纳微半导体、芯塔电子、P...  [详内文]

产能增5倍、营收增34％，三菱电机公布碳化硅新计划

作者 | 发布日期: 2023 年 03 月 16 日 16:35 |
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| 分类: 碳化硅SiC
三菱电机昨（14）日宣布，为响应快速增长的电动汽车SiC功率半导体需求，并扩大新应用市场，例如低能量损耗、高温运行或高速开关等，三菱电机将增产高效节能的碳化硅功率半导体。 计划主要包含两部分，一方面是投资约1000亿日元，其中大部分将用于建设新的8英寸SiC晶圆厂，并加强相关生产...  [详内文]

爱科思达第三代半导体设备研发制造基地项目签约落地

作者 | 发布日期: 2023 年 03 月 16 日 15:13 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
3月15日，火炬工业集团与深圳爱科思达科技有限公司（以下简称“爱科思达”）在举行“智能电源设备研发制造基地项目”签约仪式。 图片来源：中山火炬工业集团 据悉，爱科思达建设打造的智能电源设备研发制造基地项目，拟投资8亿元，达产后预计新增产值超10亿元，税收超5000万元。项目建成...  [详内文]

中国半导体设备供应商的2022

作者 | 发布日期: 2023 年 03 月 15 日 17:33 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
半导体设备市场，又泛起了波澜。 芯片制造实力被视为是未来全球半导体产业竞争的核心，而半导体设备作为芯片制造的关键，是近几年讨论的热门话题，尤其是随着美国对华制裁的推进，半导体设备领域更是被推上了风口浪尖。国际设备巨头相继开始弱化中国市场，以期减少美国的对华出口限制的沉重负担。 与...  [详内文]

汽车芯片巨头大举扩产

作者 | 发布日期: 2023 年 03 月 14 日 17:21 |
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| 分类: 碳化硅SiC
当前，随着全球消费市场上手机、PC等产品需求日益低迷，行业厂商正为难以消化的大量芯片库存而感到烦恼。 而汽车芯片的繁荣与其他赛道的急剧下滑形成鲜明对比，向电动化和智能化方向发展的汽车市场正涌现出对芯片的巨大需求。 纵观全球半导体头部大厂，近期财报都一定程度受到逆风环境所影响，但汽...  [详内文]

2022年第四季前十大晶圆代工产值环比减少4.7%，今年第一季持续下滑

作者 | 发布日期: 2023 年 03 月 13 日 17:35 |
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| 分类: 碳化硅SiC
据TrendForce集邦咨询调查显示，虽终端品牌客户自2022年第二季起便陆续启动库存修正，但由于晶圆代工位于产业链上游，加上部分长期合约难以迅速调整，因此除部分二、三线晶圆代工业者能因应客户需求变化，实时反应进行调整。 其中又以八英寸厂较明显，其余业者产能利用率修正自去年第四...  [详内文]

三代半“上车”，国星光电SiC-SBD通过车规级认证

作者 | 发布日期: 2023 年 03 月 13 日 17:33 |
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| 分类: 碳化硅SiC
近日，国星光电开发的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件成功通过第三方权威检测机构可靠性验证，并获得AEC-Q101车规级认证。这标志着国星光电第三代半导体功率器件产品从工业领域向新能源汽车领域迈出坚实步伐。 01、提升性能，做实高品质产品 通过认证的...  [详内文]

东尼电子2022年净利增长223.36%，但碳化硅衬底仍承压

作者 | 发布日期: 2023 年 03 月 13 日 16:45 |
关键字: ,
| 分类: 碳化硅SiC
3月11日，东尼电子披露2022年年度报告称，2022年消费电子、光伏、医疗、新能源业务均保持增长态势，营业收入和毛利同比均有提升；半导体业务开始小批量供货，形成少量营收。 最终，东尼电子实现营业总收入18.89亿元，同比增长41.04%；归母净利润1.08亿元，同比增长223....  [详内文]

西安邮电大学成功在8吋硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片

作者 | 发布日期: 2023 年 03 月 10 日 17:14 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
近日，西安邮电大学由电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8吋硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着我校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。 图片来源：西邮新闻网 据陈海峰教授介绍，氧化镓是一种超宽禁带半导体材料，具有优异的耐高压与日盲...  [详内文]

传三星将为英飞凌代工功率半导体产品

作者 | 发布日期: 2023 年 03 月 10 日 17:12 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
据韩媒昨日（3/10）日报道，三星晶圆代工部（Samsung Foundry）已经从去年开始为英飞凌生产MOSFET，未来有望为其代工基于SiC/GaN的电源管理芯片。 韩媒表示，知情人士透露，虽然三星晶圆代工部到目前为止签订的代工合同主要是生产通用型电源管理芯片，但英飞凌正在...  [详内文]