Author Archives: KikiWang

英诺赛科第三代700V氮化镓全面上市
作者 |发布日期 2025 年 08 月 20 日 14:56 | 分类 企业 , 氮化镓GaN
8月18日，英诺赛科宣布其第三代(Gen3) 700V 增强型氮化镓功率器件系列正式全面上市。 图片来源：英诺赛科 相较Gen2.5，英诺赛科Gen3产品核心性能实现跃升，具体包括： 芯片面积缩减30%：通过先进的工艺优化与结构创新，显著提升硅片利用率，助力实现更高功率密度设计...  [详内文]

敲钟！天岳先进正式登陆港交所
作者 |发布日期 2025 年 08 月 20 日 14:51 | 分类 企业
8月20日，山东天岳先进科技股份有限公司（简称“天岳先进”）正式在香港联合交易所有限公司主板挂牌上市，成功开启“A+H”双平台上市的新篇章。 图片来源：华福国际香港 本次发行引入了国能环保、未来资产证券等5家基石投资者，认购总金额达7.40亿港元。天岳先进计划将募集资金的70%...  [详内文]

30亿+55亿，两大碳化硅项目签约
作者 |发布日期 2025 年 08 月 19 日 13:40 | 分类 碳化硅SiC
据陕蒙能源发布消息，近日，内蒙古自治区在碳化硅产业领域取得重要进展，准格尔旗和通辽市库伦旗分别签约高纯石英砂及碳化硅项目和碳化硅产业园项目，总投资额达85亿元。这标志着内蒙古正持续依托自身资源优势，积极推动硅基新材料产业发展。 内蒙古发展碳化硅产业拥有得天独厚的优势。首先是丰富的...  [详内文]

九峰山实验室实现6英寸磷化铟技术突破！
作者 |发布日期 2025 年 08 月 19 日 13:40 | 分类 磷化铟
近日，九峰山实验室宣布在磷化铟（InP）材料领域取得重大技术突破，成功开发出6英寸磷化铟基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺。 图片来源：九峰山实验室（图为九峰山实验室6英寸磷化铟PIN探测器外延片） 该成果不仅将关键性能指标提升至国际领先水平，更是国内首次在大尺寸...  [详内文]

华海清科投资一家化合物设备企业！
作者 |发布日期 2025 年 08 月 19 日 13:38 | 分类 企业
据华海清科官微消息，近日华海清科股份有限公司（简称“华海清科”）完成对苏州博宏源设备股份有限公司（简称“苏州博宏源”）的战略投资。 华海清科是一家半导体装备制造商，成立于2013年，2022年在上交所科创板上市，主要产品包括CMP装备、减薄装备、划切装备等，其产品及服务已广泛应用...  [详内文]

印度首座化合物半导体晶圆厂获批！
作者 |发布日期 2025 年 08 月 18 日 14:26 | 分类 化合物半导体
近日，印度官方宣布，在印度半导体计划（ISM）框架下，新增批准4个半导体项目，使ISM项目总数由6个增至10个。这4个项目涉及约460亿卢比（约合37.77亿元人民币）投资。值得关注的是，这四个项目中包含印度首座商业化合物半导体晶圆厂。 据了解，该厂由印度SiCSem公司与英国C...  [详内文]

河南省碳化硅功能材料产业研究院揭牌
作者 |发布日期 2025 年 08 月 18 日 14:22 | 分类 碳化硅SiC
近期，河南省碳化硅功能材料产业研究院揭牌仪式在中宜创芯公司一楼广场举行。 资料显示，该产业研究院于今年1月14日获得河南省工业和信息化厅批复建设，建设期三年。由易成新材牵头，中宜创芯和淅川三责公司共同建设，依托碳化硅微粉国家CNAS认可实验室、浙大-平煤神马碳化硅半导体联合实验室...  [详内文]

押注功率半导体，东芝核心子公司拟扩产1.5倍
作者 |发布日期 2025 年 08 月 18 日 14:17 | 分类 企业 , 功率
东芝（Toshiba）集团在2023年底完成私有化并从公开市场退市后，其业务重组和战略方向调整的具体举措正逐步明晰。今年8月11日，据外媒最新消息，东芝核心半导体制造子公司“日本半导体公司”（Japan Semiconductor Corporation, JSC）计划扩大其8英...  [详内文]

湖南这家碳化硅设备厂商，1900℃高温炼出“芯”材料
作者 |发布日期 2025 年 08 月 15 日 14:28 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
近日媒体报道，在湖南艾科威半导体装备有限公司（以下简称“艾科威”）里，一台制作半导体材料的碳化硅（SiC）高温激活炉正在装车，准备发往外地某芯片公司。 艾科威研发总监尹昊介绍，碳化硅高温激活炉，通过在高温环境下对碳化硅材料进行表面改性处理，实现晶圆表面石墨层的制备，主要应用于碳化...  [详内文]

超过碳化硅！新型氮化镓晶体管已突破800℃高温
作者 |发布日期 2025 年 08 月 15 日 14:27 | 分类 氮化镓GaN
近日，由宾夕法尼亚州立大学电气工程教授Rongming Chu领导的研究团队，设计出了一种可在800 ℃下工作的氮化镓晶体管——足以熔化食盐的高温。这项技术突破不仅挑战了现有半导体材料的物理极限，更可能重塑极端环境下电子设备的设计逻辑。 传统硅基晶体管因带隙较窄（1.12eV），...  [详内文]