Author Archives: KikiWang

布里斯托大学团队实现 GaN 突破
作者 |发布日期 2025 年 06 月 03 日 9:24 | 分类 氮化镓GaN
近日，英国布里斯托大学研究团队在《自然·电子学》（Nature Electronics）期刊发表突破性研究，首次揭示了氮化镓（GaN）多通道晶体管中锁存效应的物理机制，并成功开发出超晶格城堡场效应晶体管（SLCFET）技术。 图片来源：《自然·电子学》期刊截图 该研究通过设计超...  [详内文]

苏州固锝加码投资中晶微电布局半导体领域
作者 |发布日期 2025 年 05 月 30 日 16:42 | 分类 企业 , 半导体产业
苏州固锝电子股份有限公司（以下简称“苏州固锝”）近日宣布，拟以自有资金1,000万元认购中晶微电（上海）半导体有限公司（以下简称“中晶微电”）新增注册资本61.8776万元，持股比例将根据交易条款确定。此次投资标志着苏州固锝在功率半导体领域的进一步深耕，旨在通过资本与产业协同，强...  [详内文]

牡丹江高性能碳化硅项目一期投产，二期剑指高端市场
作者 |发布日期 2025 年 05 月 30 日 16:41 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
近日，牡丹江高性能碳化硅新材料陶瓷制品项目一期工程正式竣工并顺利投产，标志着牡丹江在碳化硅产业高质量发展上迈出了坚实一步。该项目由#国家电投集团山东能源发展有限公司 与#上海亿棵竹实业集团有限公司 共同投资建设，有力推动了牡丹江乃至全省碳化硅行业实现产业升级，并助力当地经济高质量...  [详内文]

功率半导体领域又一起强强合作
作者 |发布日期 2025 年 05 月 30 日 16:38 | 分类 企业 , 功率
近日，上海季丰电子股份有限公司（以下简称“季丰电子”）与上海林众电子科技有限公司（以下简称“林众电子”）、上海瞻芯电子科技股份有限公司（以下简称“瞻芯电子”）正式达成战略合作伙伴关系，三方将共建功率半导体领域联合实验室，聚焦技术研发、测试分析与产业服务，共同推动行业技术能力提升。...  [详内文]

超200亿+50亿，两大碳化硅项目迎来重大进展！
作者 |发布日期 2025 年 05 月 29 日 14:00 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
5月末，我国碳化硅产业两个大金额项目迎来重大进展：长飞先进武汉基地首片晶圆正式下线、中导信力项目落户鄂州。 01、超200亿，长飞先进武汉基地首片晶圆正式下线 5月28日，长飞先进武汉基地首片6英寸碳化硅晶圆正式下线，这一事件标志着总投资超过200亿元人民币的长飞先进武汉基地正式...  [详内文]

两家三代半厂商获新融资，一家数亿元，一家小米产投独投
作者 |发布日期 2025 年 05 月 29 日 13:58 | 分类 企业 , 半导体产业
随着新能源汽车、5G通信、光伏等领域的快速发展，第三代半导体的市场需求持续增长。近期两起重要融资事件——芯源新材料斩获C轮融资与国瑞新材完成数亿元B轮融资，展现出资本对产业链薄弱环节的重注加码。 01、第三代半导体电子互连材料厂商【芯源新材料】完成C轮融资 深圳芯源新材料有限公司...  [详内文]

杰平方-奥斯达克成立SiC战略合作中心
作者 |发布日期 2025 年 05 月 29 日 13:55 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
近期，杰平方半导体（上海）有限公司与深圳奥斯达克电气技术有限公司正式签署碳化硅（SiC）战略合作协议，并共同为“杰平方-奥斯达克SiC战略合作中心”揭牌。 图片来源：杰平方半导体 资料显示， 奥斯达克作为车载电源及OBC领域的资深供应商，多年来深耕重卡、工程机械、新能源汽车等行...  [详内文]

港交所将迎中国碳化硅芯片首股，第三代半导体资本竞速
作者 |发布日期 2025 年 05 月 28 日 14:20 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
5月27日，深圳基本半导体股份有限公司（简称“基本半导体”）正式向港交所递交上市申请，中信证券、国金证券（香港）及中银国际担任联席保荐人，这也是中国碳化硅功率器件第一家赴港提交上市申请的厂商。 图片来源：基本半导体上市申请书截图 基本半导体成立于2016年，总部位于深圳，作为国...  [详内文]

封顶/投产，国内两个化合物半导体项目新进展
作者 |发布日期 2025 年 05 月 28 日 14:18 | 分类 企业 , 氧化镓 , 碳化硅SiC
从氮化镓（GaN）的“秒充”革命到碳化硅（SiC）在新能源汽车中的规模化应用，化合物半导体正加速重构半导体产业的竞争格局，为5G通信、智能电网、工业电机驱动等领域注入新动能。随着市场对高性能、高能效半导体器件需求的激增，国内化合物半导体项目层出不穷。近期，两个相关项目传出新进展，...  [详内文]

罗姆首款高耐压GaN驱动器IC量产
作者 |发布日期 2025 年 05 月 28 日 14:16 | 分类 企业 , 氮化镓GaN
5月27日，罗姆宣布推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通过与本产品组合使用，可使GaN器件在高频、高速开关过程中实现更稳定的驱动，有助于电机和服务器电源等大电流应用进一步缩减体积并提高效率。 图片来源：罗姆半...  [详内文]