Author Archives: KikiWang

港交所将迎中国碳化硅芯片首股,第三代半导体资本竞速

作者 |发布日期 2025 年 05 月 28 日 14:20 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
5月27日,深圳基本半导体股份有限公司(简称“基本半导体”)正式向港交所递交上市申请,中信证券、国金证券(香港)及中银国际担任联席保荐人,这也是中国碳化硅功率器件第一家赴港提交上市申请的厂商。 图片来源:基本半导体上市申请书截图 基本半导体成立于2016年,总部位于深圳,作为国...  [详内文]

封顶/投产,国内两个化合物半导体项目新进展

作者 |发布日期 2025 年 05 月 28 日 14:18 | 分类 企业 , 氧化镓 , 碳化硅SiC
从氮化镓(GaN)的“秒充”革命到碳化硅(SiC)在新能源汽车中的规模化应用,化合物半导体正加速重构半导体产业的竞争格局,为5G通信、智能电网、工业电机驱动等领域注入新动能。随着市场对高性能、高能效半导体器件需求的激增,国内化合物半导体项目层出不穷。近期,两个相关项目传出新进展,...  [详内文]

罗姆首款高耐压GaN驱动器IC量产

作者 |发布日期 2025 年 05 月 28 日 14:16 | 分类 企业 , 氮化镓GaN
5月27日,罗姆宣布推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通过与本产品组合使用,可使GaN器件在高频、高速开关过程中实现更稳定的驱动,有助于电机和服务器电源等大电流应用进一步缩减体积并提高效率。 图片来源:罗姆半...  [详内文]

头部大厂碳化硅设备再获订单

作者 |发布日期 2025 年 05 月 27 日 15:50 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
近日,中导光电 披露,公司NanoPro-150纳米级晶圆检测设备再次获得全球碳化硅(SiC)行业头部客户的复购订单,将用于该客户8英寸SiC晶圆前道制程的缺陷检测。 图片来源:中导光电 相较于传统6英寸SiC晶圆,8英寸SiC在单位成本、生产效率和良率控制上具有显著优势,是未...  [详内文]

新加坡迎来一条8英寸碳化硅相关产线,亚洲第三代半导体竞赛再升级

作者 |发布日期 2025 年 05 月 27 日 15:48 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
近期,#新加坡科技研究局(A-STAR)宣布启动全球首条200毫米(8英寸)碳化硅(SiC)工业级开放研发生产线。 图片来源:A-STAR图为A-STAR首席执行官 Beh Kian Teik  该生产线由ASTAR微电子研究所(IME)运营,整合了从材料生长、缺陷分析到器件制...  [详内文]

Wolfspeed高层大调整与财务重组

作者 |发布日期 2025 年 05 月 27 日 15:47 | 分类 企业
近期,全球碳化硅(SiC)技术领导者Wolfspeed正经历一场全面的领导层重塑与财务结构优化,以应对当前的挑战并为未来的发展奠定基础。 5月23日,Wolfspeed宣布了一项最新人事任命,公司正式任命行业资深人士David Emerson博士为新设立的执行副总裁兼首席运营官(...  [详内文]

第三代半导体融资项目+2,金额超6亿

作者 |发布日期 2025 年 05 月 26 日 15:29 | 分类 企业 , 半导体产业
近日,第三代半导体领域的臻驱科技与Finwave Semiconductor两家企业相继获得重要融资,为行业的持续创新与突破注入了强劲动力。   01、臻驱科技获6亿元银团贷款 根据臻驱科技官微消息,5月20日,臻驱科技在上海完成6亿元人民币银团贷款签约,由上海科创银行...  [详内文]

株洲中车8英寸SiC产线披露最新进展

作者 |发布日期 2025 年 05 月 26 日 15:24 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
5月21日,株洲中车董事长李东林在“先进轨道交通行业专场”说明会上透露了公司在碳化硅(SiC)产业的最新进展。 株洲中车正加快8英寸碳化硅产线建设,其中三期8英寸SiC晶圆项目已于2024年11月启动,计划2025年5月完成主体厂房封顶,年底前实现整线贯通。公司现有的6英寸SiC...  [详内文]

武汉一批集成电路重大项目迎来重大进展

作者 |发布日期 2025 年 05 月 26 日 15:21 | 分类 企业
据中国光谷消息,近两月,杉数科技、此芯科技、君原电子等多家集成电路产业链企业陆续签约落户光谷,设立研发机构及产线。近一年,围绕存储半导体产业链,光谷新签约亿元以上项目约30个,涵盖核心设备、零部件、关键原材料、EDA软件、晶圆制造、封测、模组等各个领域。 经过20年的积累,从20...  [详内文]

英伟达携手纳微升级电源架构,氮化镓和碳化硅发挥核心作用

作者 |发布日期 2025 年 05 月 23 日 16:31 | 分类 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
当地时间5月21日,纳微半导体宣布与英伟达达成战略合作,共同开发基于氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)技术的800V高压直流(HVDC)电源架构,该技术将率先应用于英伟达下一代AI数据中心及Rubin Ultra计算平台。 图片来源:纳微半导体 当前数据中心普遍采用54V低压配...  [详内文]