Author Archives: huang, Mia

西安邮电大学成功在8吋硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片
作者 |发布日期 2023 年 03 月 10 日 17:14 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
近日，西安邮电大学由电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8吋硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着我校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。 图片来源：西邮新闻网 据陈海峰教授介绍，氧化镓是一种超宽禁带半导体材料，具有优异的耐高压与日盲...  [详内文]

英诺赛科推出高性价比120W氮化镓方案，采用TO封装，效率达94.6%
作者 |发布日期 2023 年 03 月 10 日 15:11 | 分类 氮化镓GaN
随着终端产品对氮化镓的加速应用，氮化镓市场规模进一步扩大。相较于硅，氮化镓高频率、小体积的优势不言而喻，但价格却仍然让许多方案厂商犹豫不决。英诺赛科坐拥全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆制造基地，规模化量产使氮化镓成本在行业中具备较强的竞争优势。 近期还推出了采用TO252 / TO...  [详内文]

宏微科技2022年几款SiC混合模块已批量出货
作者 |发布日期 2023 年 03 月 09 日 17:31 | 分类 碳化硅SiC
近日，宏微科技组织参观活动，在接受机构调研时表示，2022年公司几款SiC混合模块已批量出货。自产的SiC SBD单管也在2022年年末有样品在客户端测试；SiC MOS也在流片中。 在公司的未来规划中SiC占据非常重要的地位，但SiC产品的验证与产能释放都需要一定时间，公司的S...  [详内文]

2023年湖南电子信息制造业重点项目公布
作者 |发布日期 2023 年 03 月 09 日 17:30 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
近日，湖南省工信厅发布，围绕先进计算、新型显示、能源电子等重点方向，今年铺排42个电子信息制造业重点项目，单个项目投资均在5亿元以上，总投资达1385亿元。2023年度计划投资473亿元；项目建成达产后，预计可年新增营收1500亿元以上。 其中，湖南三安半导体产业园项目（二期）、...  [详内文]

集邦咨询：2023年SiC功率元件市场产值估将突破22亿美元
作者 |发布日期 2023 年 03 月 09 日 14:25 | 分类 碳化硅SiC
第三代半导体包括碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN），整体产值又以SiC占80%为重。SiC适合高压、大电流的应用场景，能进一步提升电动汽车与再生能源设备系统效率。据TrendForce集邦咨询研究统计，随着安森美（onsemi）、英飞凌（Infineon）等与汽车、能源业者合作项...  [详内文]

SiC龙头罗姆官宣两则好消息
作者 |发布日期 2023 年 03 月 09 日 11:32 | 分类 碳化硅SiC
近日，罗姆（ROHM）接连发布了两则好消息。一是其开发的SiC SBD成功应用于村田制作所旗下企业的数据中心电源模块；二是确立了一项技术，可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。 SiC SBD成功应用于村田数据中心电源模块 3月2日，罗姆宣布其开发的第3代SiC肖特基二极...  [详内文]

中国台湾中山大学突破6英寸碳化硅晶体生长
作者 |发布日期 2023 年 03 月 07 日 13:54 | 分类 碳化硅SiC
今日，据台媒报道，台湾中山大学晶体研究中心已成功长出6吋导电型4H碳化硅单晶，中心厚度为19mm，边缘约为14mm，生长速度达到370um／hr，晶体生长速度更快且具重复性，这标志着台湾地区第三代半导体碳化硅向前推进的进程。 碳化硅作为第三代半导体的代表，具有耐高压、耐高温、高频...  [详内文]

国家队战略领投，珏芯微完成数亿融资
作者 |发布日期 2023 年 03 月 06 日 17:34 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
根据珏芯微官方3月2日消息，浙江珏芯微电子有限公司（以下简称：珏芯微）于近日完成数亿元融资。 本轮融资由国家队航天国调基金和中金资本旗下基金领投，国家科技成果转化引导基金、凌云光技术股份有限公司、湖南迪策投资等国内知名投资机构和上市公司跟投。 其中，航天国调基金领投后成为了珏芯微...  [详内文]

荣耀首款自研射频芯片来了
作者 |发布日期 2023 年 03 月 06 日 17:32 | 分类 碳化硅SiC
今（6）日，在荣耀Magic5系列及全场景新品发布会上，荣耀除了发布手机，还带来了自研射频增强芯片，自称“信号见底也能通信”。 Source：荣耀 此前，荣耀就表示要深入用户需求定义产品，自研产品必须立足于消费者使用体验，而荣耀自研射频增强芯片C1就立足于消费者的一大痛点——弱...  [详内文]