Author Archives: huang, Mia

Tesla缩减75％ SiC用量，这项工艺或为关键
作者 |发布日期 2023 年 03 月 03 日 17:36 | 分类 碳化硅SiC
Tesla最近表示将在不损害汽车性能和效率的前提下，在下一代电动汽车平台缩减75% SiC用量，这是Tesla提供的关于新车计划的少数硬性细节之一，由此引发了业界的各种猜测。   据TrendForce集邦咨询了解， SiC可靠性以及供应链的稳定性确实令Tesla信心不...  [详内文]

合计超90亿，小米智造基金再募资
作者 |发布日期 2023 年 03 月 03 日 17:35 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
3月2日晚间，A股的兆易创新、帝奥微，港股的金山软件均发布了最新的参与私募股权投资基金的公告，涉及小米智造基金。 其中，兆易创新指出，2022年7月，公司作为有限合伙人以自有资金2亿元参与认购小米私募股权基金管理有限公司（以下简称：管理人）管理的北京小米智造股权投资基金合伙企业（...  [详内文]

通富微电碳化硅产品已通过客户考核并进入量产
作者 |发布日期 2023 年 03 月 02 日 17:21 | 分类 碳化硅SiC
近日，有投资者在互动平台提问通富微电碳化硅技术竞争力如何，是否掌握凯龙高科研发的重结晶碳化硅技术？ 通富微电表示，公司2022年已为国际知名汽车电子客户开发的第三代半导体碳化硅产品，具备无铅化、耐高压、高功率等优势，应用于客户新能源车载逆变器等领域，在国内首家通过客户考核并进入量...  [详内文]

芯际探索新型功率半导体器件研发基地投产
作者 |发布日期 2023 年 03 月 02 日 17:20 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
2月23日，贵州芯际探索科技有限公司（以下简称“芯际探索”）生产基地投产仪式在贵阳市花溪区举行。 芯际探索于2022年3月1日正式签约，2022年7月进场装修、调试，仅用半年时间就完成了万级净化厂房装修、半导体器件封装生产线的调试和通线。 项目规划投资3亿元，主要从事国产新型功率...  [详内文]

特斯拉制造投资10万亿美元，下一代平台减少75%碳化硅
作者 |发布日期 2023 年 03 月 02 日 17:17 | 分类 碳化硅SiC
今日，特斯拉举行投资者大会。马斯克在会上介绍了“宏图计划”（Master Plan），储能240TWh，可再生电力30TWh，制造投资10万亿美元，能源要求不到燃料经济的一半。 特斯拉相关负责人在会上透露，Model 3上市至今，特斯拉通过产品改进等方式，将其生产成本大幅降低了3...  [详内文]

爱思强2022年营收约34亿，GaN/SiC设备收入占比最高
作者 |发布日期 2023 年 03 月 01 日 17:19 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
在2022年大环境不利的情况下，海内外大多数厂商业绩表现不佳，但设备厂商中逆势成长的例子却不少，比如国内MOCVD设备厂中微公司，其在去年实现营收与净利润双增长，新签订单金额约为63.2亿元，同比增长约53.0%。 国际MOCVD设备厂商爱思强（AIXTRON SE）昨日也公布了...  [详内文]

深圳市2023年重大项目计划公布，涉及第三代半导体
作者 |发布日期 2023 年 03 月 01 日 17:18 | 分类 碳化硅SiC
近日，深圳市发展和改革委员会公布《深圳市2023年重大项目计划》。项目清单显示，今年深圳市重大项目计划共安排项目841个，总投资约3.6万亿元，年度计划投资2813.5亿元。 半导体项目中有华润微深圳12英寸集成电路生产线建设项目、方正微第三代半导体产业化基地建设项目、中芯国际1...  [详内文]

瞻芯电子完成数亿元B轮融资
作者 |发布日期 2023 年 03 月 01 日 9:01 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
近日，上海瞻芯电子科技有限公司（以下简称“瞻芯电子”）完成数亿元B轮融资，本轮融资由国方创新领投，国中资本、临港新片区基金、金石投资、钟鼎资本、长石资本等众多机构跟投，老股东临芯投资、光速中国、广发信德持续追加。 2022年12月 ，瞻芯电子刚刚完成了数亿元Pre-B轮融资。由上...  [详内文]

林众电子IGBT及碳化硅功率模块项目奠基
作者 |发布日期 2023 年 03 月 01 日 9:00 | 分类 碳化硅SiC
2月26日，上海林众电子科技有限公司智能质造中心项目基地开工仪式举行。建成后将为林众电子新增2000万只IGBT及碳化硅功率半导体模块的年生产能力，达产后年产值将超30亿元，成为业内领先的功率半导体智能制造基地。 据了解，项目位于上海市松江区，土建投资3.6亿元，含设备总投资预计...  [详内文]

国内第一，这颗6英寸氧化镓单晶击碎“卡脖子”
作者 |发布日期 2023 年 03 月 01 日 8:57 | 分类 氮化镓GaN
昨（27）日，中国电子科技集团有限公司（中国电科）宣布，近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。 图片来源：拍信网正版图库 01、中国电科46所成功制备6英寸氧化镓单晶 氧化镓，是继Si、SiC及GaN后的第四代宽禁带半导体材料，以β-Ga2O...  [详内文]