Author Archives: huang, Mia

芯联集成、露笑科技、士兰微公布2023年业绩预告
作者 |发布日期 2024 年 02 月 01 日 17:51 | 分类 企业
1月30日，芯联集成、露笑科技和士兰微三家与SiC相关企业发布2023年业绩预告，详情如下： 图片 芯联集成：SiC业务营收预计超过10亿 芯联集成预计2023年度营业收入约为53.25亿元，与上年同期相比增加约7.19亿元，同比增长约15.60%。预计2023年度主营业务收入约...  [详内文]

清纯半导体、Qorvo两家企业推出SiC新产品
作者 |发布日期 2024 年 02 月 01 日 17:50 | 分类 企业
年关将至，诸多企业开始着手准备发布公司年度业绩，但也不乏企业加速产品推新，加强自身市场竞争力。 清纯半导体推出1200V / 3.5mΩ SiC MOSFET芯片 近日，清纯半导体正式推出1200V/3.5mΩ的SiC MOSFET芯片（型号：SG2MA35120B）及对应SOT...  [详内文]

昕感科技6-8吋功率半导体厂房项目全面封顶
作者 |发布日期 2024 年 01 月 31 日 17:19 | 分类 功率
1月30日，昕感科技6-8吋功率半导体制造项目封顶活动在江苏江阴高新区隆重举行。该项目自2023年8月8日启动以来，历时174天，总计投资超10亿元。至此，昕感科技成为国内极少数能够兼容6-8吋晶圆特色工艺生产的厂商，将全面助力国产功率半导体的发展。 source：昕感科技 昕...  [详内文]

射频芯片企业武汉光钜获2亿融资
作者 |发布日期 2024 年 01 月 30 日 18:06 | 分类 射频
据复星锐正官微消息，近日，BAW/FBAR滤波器厂商武汉光钜微电子有限公司（下文简称“武汉光钜”）宣布获得2亿元B轮融资，投资方为宁波甬商实业、湖北省铁路发展基金、长江成长资本、湖南高新创投等7家专业投资方。这也是继复星锐正、架桥资本的A轮投资，和小米科技战略投资之后，公司所获得...  [详内文]

超5亿，设备厂邑文科技再获融资
作者 |发布日期 2024 年 01 月 30 日 17:59 | 分类 企业
1月29日，根据万创投行官方消息，无锡邑文微电子科技股份有限公司（以下简称：邑文科技）近日完成超5亿元D轮融资。本轮融资由中金资本旗下中金佳泰基金、海通新能源领投，扬州正为、洪泰基金、西安常青等联合投资，万创投行担任融资财务顾问。 邑文科技成立于2011年，主营业务为半导体前道工...  [详内文]

SiC产品营收达82亿，意法半导体公布全年数据
作者 |发布日期 2024 年 01 月 29 日 17:50 | 分类 企业
1月25日，意法半导体发布2023年全年财报。财报显示，意法半导体2023年全年净营收172.9亿美元（折合人民币约1241亿元），增速7.2%。；毛利率47.9%；营业利润率26.7%，净利润42.1亿美元（折合人民币约302亿元）。 其中，意法半导体旗下碳化硅（SiC）产品营...  [详内文]

年产能300+台，SiC设备厂商谦视智能获数千万元融资
作者 |发布日期 2024 年 01 月 26 日 18:15 | 分类 企业
近日，上海谦视智能科技有限公司（以下简称：谦视智能）宣布完成A+轮数千万元融资，投资方为沃赋创投、高瓴创投、麒麟创投，禾慕创投追投。本轮融资，谦视智能将在南京设立生产基地，预计可支持年产能300台套高端装备的生产。 谦视智能成立于2017年，公司专注于实现高端半导体量检测设备的国...  [详内文]

纳微与车载充电器厂商欣锐共建研发实验室
作者 |发布日期 2024 年 01 月 26 日 18:13 | 分类 企业
根据纳微半导体官方消息，1月25日，纳微半导体（下文简称“纳微”）宣布与深圳欣锐科技股份有限公司（下文简称“欣锐”）联合打造的新型研发实验室正式揭牌。 据介绍，该联合实验室将借助纳微领先的氮化镓（GaN）技术，结合创新的系统设计技能和汇聚工程人才，加速开发欣锐项目，使其产品拥有高...  [详内文]

发力SiC衬底，山东粤海金和山东有研半导体达成合作
作者 |发布日期 2024 年 01 月 25 日 17:50 | 分类 企业
据山东粤海金半导体科技有限公司官微（下文简称“山东粤海金”）消息，1月17日，山东粤海金与山东有研半导体正式签署了《碳化硅衬底片业务合作协议》，该协议旨在充分发挥双方各自优势，创新业务合作模式，共同拓展碳化硅（SiC）衬底市场与客户。 source：山东粤海金 双方称，该合作是...  [详内文]

首个1700V GaN HEMT器件发布
作者 |发布日期 2024 年 01 月 24 日 17:17 | 分类 功率
近日，广东致能科技团队与西安电子科技大学广州研究院/广州第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授团队等等合作攻关，通过采用广东致能科技有限公司的薄缓冲层AlGaN / GaN外延片，基于广州第三代半导体创新中心中试平台，成功在6英寸蓝宝石衬底上实现了1700V GaN HEMTs...  [详内文]