文章分类： 氮化镓GaN

罗姆确立新技术，更好地激发GaN等高速开关器件性能

作者 | 发布日期: 2023 年 03 月 14 日 17:22 |
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| 分类: 氮化镓GaN
近日，罗姆（ROHM）宣布确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。 Source：罗姆 近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。 在...  [详内文]

英诺赛科氮化镓项目在列，苏州发布2023重点项目清单

作者 | 发布日期: 2023 年 03 月 14 日 17:13 |
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| 分类: 氮化镓GaN
近日，苏州发改委发布《2023年苏州市重点项目清单》。2023年，苏州安排市重点项目468个，其中418个实施项目，总投资1.27万亿元，年度计划投资2301亿元；储备项目50个，总投资1732亿元。 按项目类别看，清单共有141个战略性新兴产业项目，涉及电子信息、高端装备、新材...  [详内文]

西安邮电大学成功在8吋硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片

作者 | 发布日期: 2023 年 03 月 10 日 17:14 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
近日，西安邮电大学由电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8吋硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着我校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。 图片来源：西邮新闻网 据陈海峰教授介绍，氧化镓是一种超宽禁带半导体材料，具有优异的耐高压与日盲...  [详内文]

传三星将为英飞凌代工功率半导体产品

作者 | 发布日期: 2023 年 03 月 10 日 17:12 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
据韩媒昨日（3/10）日报道，三星晶圆代工部（Samsung Foundry）已经从去年开始为英飞凌生产MOSFET，未来有望为其代工基于SiC/GaN的电源管理芯片。 韩媒表示，知情人士透露，虽然三星晶圆代工部到目前为止签订的代工合同主要是生产通用型电源管理芯片，但英飞凌正在...  [详内文]

北京发布2023重点工程计划，泰科天润等项目在列

作者 | 发布日期: 2023 年 03 月 10 日 16:49 |
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| 分类: 氮化镓GaN
3月10日消息，近日，北京市发改委发布了《北京市2023年重点工程计划》。 今年，北京将继续实施”3个100″市重点工程，推进100个科技创新及高精尖产业、100个基础设施和100个民生改善项目。其中新建项目120个，续建项目180个，力争当年完工项目54...  [详内文]

英诺赛科推出高性价比120W氮化镓方案，采用TO封装，效率达94.6%

作者 | 发布日期: 2023 年 03 月 10 日 15:11 |
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| 分类: 氮化镓GaN
随着终端产品对氮化镓的加速应用，氮化镓市场规模进一步扩大。相较于硅，氮化镓高频率、小体积的优势不言而喻，但价格却仍然让许多方案厂商犹豫不决。英诺赛科坐拥全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆制造基地，规模化量产使氮化镓成本在行业中具备较强的竞争优势。 近期还推出了采用TO252 / TO...  [详内文]

2023年湖南电子信息制造业重点项目公布

作者 | 发布日期: 2023 年 03 月 09 日 17:30 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
近日，湖南省工信厅发布，围绕先进计算、新型显示、能源电子等重点方向，今年铺排42个电子信息制造业重点项目，单个项目投资均在5亿元以上，总投资达1385亿元。2023年度计划投资473亿元；项目建成达产后，预计可年新增营收1500亿元以上。 其中，湖南三安半导体产业园项目（二期）、...  [详内文]

美国NI收购德国设备厂SET，发力汽车SiC市场

作者 | 发布日期: 2023 年 03 月 08 日 17:23 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
今年1月消息，美国自动测试及量测系统厂商NI（National Instruments，国家仪器）正在考虑出售。近日，NI又传来了新消息，而这次是关乎并购另外一家设备公司。 3月6日，NI宣布已通过现金收购德国设备厂商SET GmbH，目标是缩短关键的高度差异化解决方案的上市时间...  [详内文]

总投资6亿、年产3000片，博康嘉兴氮化镓项目开工

作者 | 发布日期: 2023 年 03 月 08 日 17:20 |
关键字:
| 分类: 氮化镓GaN
据“嘉兴城南”官方消息，3月6日，博康（嘉兴）半导体氮化镓射频功率芯片先导线项目正式开工。 该项目总投资约6亿元，占地面积46667平方米，将新建工业厂房30543平米，并引进光刻机、磁控溅射机等设备约100台套，用于生产通信用氮化镓射频芯片先导线，预计年产能将为3000片。 项...  [详内文]

38亿买入+25亿投资，中瓷电子大手笔进军第三代半导体

作者 | 发布日期: 2023 年 03 月 08 日 17:18 |
关键字: ,
| 分类: 产业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
以碳化硅与氮化镓为代表的第三代半导体市场正如火如荼地发展着，而“围墙”之外的企业亦对此赛道十分看重。近日，中瓷电子资产重组重新恢复审核，其对第三代半导体业务的开拓有了新的进展。 “蛇吞象”式并购，中瓷电子拟38亿买入标的 3月6日晚间，中瓷电子发布公告称，公司于2023年3月3日...  [详内文]