最新文章

【会前指南】2023集邦咨询第三代半导体前沿趋势研讨会明日举行！
作者 |发布日期 2023 年 06 月 14 日 17:10 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
6月15日，“2023集邦咨询第三代半导体前沿趋势研讨会”将在深圳隆重举行。 届时，华灿光电、英诺赛科、纳设智能、国星光电、天科合达、芯聚能、Wolfspeed、烁科晶体、AIXTRON、泰科天润、珠海镓未来、三菱电机、天域半导体等行业龙头，以及北京大学教授、集邦咨询资深分析师等...  [详内文]

奥海科技：800V碳化硅平台的高压MCU项目稳步推进
作者 |发布日期 2023 年 06 月 14 日 16:59 | 分类 碳化硅SiC
近日，奥海科技在接受机构调研时表示，2022年全年公司手机业务ASP增速超过20%，随着65W以上机型市占率不断渗透，未来手机快充有望像“4800万像素摄像头”、“指纹识别”等功能一样得到大范围普及。 奥海科技称，2023年一季度公司60W以上快充渗透率提升至19%以上。 此外，...  [详内文]

这个SiC设备厂8英寸长晶设备已开始批量生产
作者 |发布日期 2023 年 06 月 14 日 16:57 | 分类 碳化硅SiC
近日，有投资者在互动平台提问晶升股份关于三安与意法半导体拟合作开展8英寸碳化硅衬底业务对公司的影响。晶升股份表示，公司已开始8英寸碳化硅长晶设备的批量生产。截止目前，公司尚未与三安光电签订针对这个项目的正式订单。 受益于半导体行业高速发展，对应半导体长晶设备需求快速释放。晶升股份...  [详内文]

硅光的下一代技术路线图
作者 |发布日期 2023 年 06 月 13 日 17:28 | 分类 碳化硅SiC
摘要 在光通信发展的推动下，硅光子技术已发展成为主流技术。目前的技术已经使得集成光子器件从数千个激增到数百万个，它们主要以数据中心通信收发器的形式出现，此外传感和运算等许多令人兴奋的应用领域的产品也指日可待。需要什么才能将硅光子器件的出货量从数百万增加到数十亿？下一代硅光子技术会...  [详内文]

30亿投资，安世半导体封测厂扩建项目摘牌
作者 |发布日期 2023 年 06 月 13 日 17:22 | 分类 碳化硅SiC
昨日，安世半导体（中国）有限公司封测厂扩建项目成功摘牌。 据悉，项目总投资30亿元，从事产业内容包括但不限于分立器件、模拟&逻辑ICs、功率MOSFETs。 图片来源：拍信网正版图库 2022年10日，安世半导体与东莞市黄江镇人民政府签署了《安世半导体（中国）有限公司封...  [详内文]

向8英寸进击，拿下SiC的天王山
作者 |发布日期 2023 年 06 月 13 日 17:20 | 分类 碳化硅SiC
6月7日，平地一声惊雷，一则合资建厂的消息震动整个SiC市场，三安光电和意法半导体两位主角宣布，将斥资50亿美元在重庆建立一座8英寸SiC器件厂，在此基础上，三安光电再配套建一座衬底厂。根据意法半导体的估算，到2030年该厂将帮助意法半导体实现50亿美元的SiC营收，作为对比，2...  [详内文]

【会议预告】集邦咨询：2023全球第三代半导体市场机遇与挑战
作者 |发布日期 2023 年 06 月 12 日 17:29 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
第三代半导体碳化硅和氮化镓被视为后摩尔时代材料创新的关键角色。近年来，汽车、光伏储能等应用带动碳化硅市场迅速扩大，氮化镓功率元件于消费电子市场率先放量，工业、汽车应用潜力巨大。 目前，全球能源技术革命已经开启，并向材料领域渗透，第三代半导体将在实现碳达峰、碳中和的过程中发挥怎样的...  [详内文]

又一实验室揭牌，瞄准化合物半导体EDA领域
作者 |发布日期 2023 年 06 月 12 日 17:28 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
近日，九峰山-华大九天联合实验室“神舟实验室”正式揭牌。该实验室由九峰山实验室和北京华大九天科技股份有限公司共同组建，由北京华大九天科技股份有限公司研发副总朱能勇、九峰山实验室无线互联首席专家吴畅共同担任主任。 图片来源：拍信网正版图库 “神舟实验室”将针对化合物半导体EDA软...  [详内文]

聚焦芯片研发，上汽通用五菱与电科芯片签署协议
作者 |发布日期 2023 年 06 月 12 日 17:27 | 分类 碳化硅SiC
近日，上汽通用五菱与电科芯片举行战略合作协议签署仪式。 上汽通用五菱官方消息显示，双方将以此次为战略合作协议签约为契机，基于用户使用场景，在芯片研发领域深入开展合作，以全面“2C”为导向，坚持走自主创新的道路，携手助力芯片国产化，推动“一二五工程”项目成果实现新突破。 上汽通用五...  [详内文]

【会议预告】芯聚能半导体：车规级功率半导体技术发展
作者 |发布日期 2023 年 06 月 12 日 15:54 | 分类 碳化硅SiC
在市场对节能减排和驾驶舒适性的更高要求下，新能源汽车逐步走向时代舞台中央，车规级功率半导体需求随之逐渐攀升。 SiC作为第三代半导体材料，具有比硅更优越的性能。不仅禁带宽度较大，还兼具热导率高、饱和电子漂移速率高、抗辐射性能强、热稳定性和化学稳定性好等优良特性，成为了新能源汽车领...  [详内文]