SiC属于宽禁带半导体材料,具有耐高压、耐高温、高频、低损耗等优势,是卫星通信、电动汽车、高压输变电、轨道交通等重要领域的核心材料。
SiC单晶的制备一直是全球性技术难题,而高稳定性的晶体生长工艺则是其中最核心的技术。
如今,烁科晶体已建立起完整的SiC晶片生产线,突破晶体生长、...  [详内文]
【会议预告】烁科晶体:SiC单晶生长技术浅析及应用展望 |
作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 05 月 25 日 17:32 | 分类 碳化硅SiC |