【会议预告】Wolfspeed：SiC器件赋能新能源领域应用的创新和优化

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 05 月 18 日 11:12 | 分类 碳化硅SiC | edit

随着传统硅材料制作的功率半导体器件，电能变换效率达到理论极限，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料应运而生。 其中，碳化硅用于制作功率器件，可显著提高电能利用率，是功率半导体的一大重要发展方向。 碳化硅器件应用场景明确。在新能源领域，碳化硅可以提升系统效率、提高功率密度并降低...  [详内文]

爱思强拟投资1亿欧元建设新研发中心

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 05 月 18 日 11:10 | 分类 碳化硅SiC | edit

5月16日，德国沉积设备商爱思强（AIXTRON SE）宣布，拟在德国黑措根拉特（Herzogenrath）总部投资1亿欧元（约合人民币7.6亿元）建设新的创新研发中心，将包含1000㎡的洁净室空间，为已在准备的下一代产品及未来其他新产品提供更充足的生产能力，提升半导体沉积设备的...  [详内文]

安森美斥巨资扩产SiC，目标拿下40%的市场

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 05 月 18 日 11:07 | 分类 企业 , 碳化硅SiC | edit

安森美半导体公司高管周二表示，该公司正在考虑投资 20 亿美元用于提高广泛用于帮助扩大电动汽车续航里程的碳化硅芯片的生产。公司高管在分析师介绍中表示，公司正在考虑在美国、捷克共和国或韩国进行扩张。该公司已经在这些国家/地区中的每一个国家/地区设有工厂。 ON Semiconduc...  [详内文]

这个SiC厂商获融资，外延片实现量产！

作者 lin, lynn|发布日期 2023 年 05 月 16 日 17:34 | 分类 碳化硅SiC | edit

近期，希科半导体表示，已有数台碳化硅CVD炉到位并调试成功实现了高品质外延片的量产，已对十余个业内标杆客户完成送样并实现了采购订单。 此外，公司天使轮投资机构云懿资本推动和支持公司完成了Pre-A轮融资。 本轮Pre-A轮融资由天堂硅谷、晨道资本两家业内知名机构领投，云懿资本作为...  [详内文]

上市之后，这个设备厂又有新动作！

作者 lin, lynn|发布日期 2023 年 05 月 16 日 17:31 | 分类 产业 | edit

近日，晶升股份发布公告称，公司拟与南京浦口经济开发区管理委员会签署《项目投资协议》及其他相关补充协议，拟设立全资子公司南京晶采半导体科技有限公司（暂定名，以工商登记机关核准为准），在浦口经济开发区投资南京晶升浦口半导体晶体生长设备生产及实验项目。预计项目投资总额为1亿元。 图源...  [详内文]

SiC、GaN等第三代半导体产业前路如何？

作者 lin, lynn|发布日期 2023 年 05 月 16 日 17:17 | 分类 产业 | edit

关于第三代半导体的疑虑，这场研讨会都有答案。 第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，先天性能优越，是新能源汽车、5G、光伏等领域的“香饽饽”。然而，现实与理想之间尚有较大差距，我们对第三代半导体的发展仍存疑虑。 为进一步剖析第三代半导体的现...  [详内文]

15亿+19.2亿，鑫磊半导体接连签约两大项目

作者 lin, lynn|发布日期 2023 年 05 月 16 日 16:51 | 分类 产业 | edit

根据东乡县融媒体中心官方消息，5月14日，在浙江省杭州市举行的甘肃省重点产业招商推介会上，东乡县与杭州鑫磊半导体科技有限公司（以下简称：鑫磊半导体）签订了大尺寸集成电路金刚石基片生产基地项目投资协议。 该项目规划总投资15亿元，计划购置200套第四代半导体的研发、检测、分析、测试...  [详内文]

半导体材料领域或再添一家上市企业

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 05 月 15 日 17:40 | 分类 碳化硅SiC | edit

近日，中信证券披露了关于新磊半导体科技(苏州) 股份有限公司（简称：新磊科技）首次公开发行股票并上市辅导备案报告。 4月26日，中信证券股份有限公司与新磊半导体签订辅导协议； 4月27日，新磊半导体正式向中国证券监督管理委员会江苏监管局报送辅导备案申请材料并于2023年5月8日完...  [详内文]

【会议预告】华灿光电：GaN功率器件创新应用市场前景分析

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 05 月 15 日 17:40 | 分类 氮化镓GaN | edit

GaN功率器件具有良好的耐热性、导电性和散热性。与硅元件相比，GaN功率器件具有更高的电流密度和迁移率。 基于GaN功率器件的电能转换技术作为电力电子领域的核心技术之一，广泛应用于消费电子、数据中心等诸多领域，是推进电能高效利用的关键技术，也是节能减排的重要技术。 华灿光电十五年...  [详内文]

又一国产企业成功研制8英寸SiC衬底！

作者 chen, janice|发布日期 2023 年 05 月 15 日 17:30 | 分类 碳化硅SiC | edit

5月12日，杭州乾晶半导体有限公司（以下简称“乾晶半导体”）宣布，在大尺寸碳化硅单晶生长及其衬底制备方面取得突破：采用多段式电阻加热的物理气相传输（PVT）法生长了厚度达27mm的8英寸n型SiC单晶锭，并加工获得了8英寸SiC衬底片。 资料显示，乾晶半导体成立于2020年7月，...  [详内文]