如今,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等“WBG(Wide Band Gap,宽禁带,以下简称为:WBG)”新型材料为基础的功率半导体的研发技术颇受关注。基于日本环境省的“为进一步实现碳中和,加速推进应用和普及材料(氮化镓)、CNF(碳纳米纤维)”的方针,日本大阪大学森勇介教...  [详内文]
GaN,迎来新突破 |
| 作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 02 月 09 日 17:16 | 分类 氮化镓GaN |
