芯联集成启动200亿扩产项目！

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 06 月 12 日 14:23 | 分类 企业 | edit

2026年6月11日晚间，芯联集成电路制造股份有限公司（以下简称“芯联集成”）发布公告，拟在绍兴市杭绍临空经济一体化发展示范区，与绍兴市杭绍临空经济一体化发展示范区绍兴片区管理委员会等相关方合资建设12英寸车规级数模混合芯片生产线。该项目为公司四期项目，计划总投资约200亿元，建...  [详内文]

Wolfspeed发布第五代碳化硅MOSFET技术

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 06 月 11 日 17:09 | 分类 碳化硅SiC | edit

2026年6月9日，Wolfspeed正式宣布推出第五代（Gen 5）碳化硅MOSFET技术，面向750V及1200V汽车与工业应用。 据Wolfspeed官方披露，第五代SiC MOSFET技术相较当前市售同类1200V竞品解决方案，最高可降低27%的比导通电阻，显著改善系统级...  [详内文]

又一企业拟建6英寸磷化铟衬底项目

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 06 月 11 日 17:06 | 分类 磷化铟 | edit

6月2日，中铝乾星（成都）科技有限责任公司“2026年新建大尺寸先进化合物半导体衬底及高纯材料中试平台项目”环境影响评价征求意见稿正式公示，此前该项目已于4月23日完成环评第一次公示，目前正处于公众意见征集阶段。 图片来源：四川经济网信息截图 根据公示文件，该项目选址位于成都市...  [详内文]

国内功率半导体“小巨人”企业重启上市之路

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 06 月 11 日 17:02 | 分类 企业 | edit

深圳证券交易所官网近期披露，江苏长晶科技股份有限公司（以下简称“长晶科技”）的主板IPO申请已正式获得受理，此次保荐机构为华泰联合证券。 图片来源：深圳证券交易所信息截图 这家功率半导体领域的国家级专精特新“小巨人”企业，此前曾于2022年9月向深交所创业板递交上市申请并获受理...  [详内文]

氮化镓嵌单晶金刚石散热技术取得突破

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 06 月 10 日 15:00 | 分类 氮化镓GaN | edit

2026年6月8日，美国麻省理工学院（MIT）官方发布消息，该校研究团队成功将氮化镓（GaN）晶体管嵌入超薄单晶金刚石层，攻克高功率无线芯片散热瓶颈，研制出性能创纪录的无线功率放大器。相关研究成果已于2026年IEEE国际微波研讨会（IMS）上正式发布，为6G通信、卫星互联网等高...  [详内文]

这家上市企业跨界布局磷化铟，拟3亿元投建两期项目

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 06 月 10 日 14:57 | 分类 磷化铟 | edit

2026年6月8日晚间，精细化工企业宿迁联盛科技股份有限公司发布公告，披露与自然人朱蓉辉、汇智光芯人工智能科技（苏州）有限公司签署《合资意向协议》，拟共同出资设立合资公司，正式跨界进军磷化铟衬底研发、生产与销售领域。 根据公告，合资公司注册资本1000万元，宿迁联盛出资700万元...  [详内文]

安意法半导体项目迎新进展

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 06 月 10 日 14:34 | 分类 企业 , 化合物半导体 | edit

“重庆建工三建”官微消息，近日，由该公司承建的安意法半导体项目V2/V3配套工程顺利完成全部建设任务，并正式移交甲方后续分包单位，为安意法半导体项目整体竣工及核心生产线调试投产奠定了坚实基础。 据悉，该公司承建的V2/V3配套工程是安意法半导体项目的节点工程之一。安意法半导体项目...  [详内文]

聚焦工业航空国防领域，两巨头达成高压碳化硅战略合作

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 06 月 09 日 15:21 | 分类 碳化硅SiC | edit

美国东部时间2026年6月8日，通用电气航空航天（GE Aerospace）与全球碳化硅（SiC）半导体龙头企业Wolfspeed联合宣布签署一项谅解备忘录（MOU）。双方将围绕高压碳化硅技术展开全面的战略协作，旨在共同加速该项前沿技术在工业、航空航天及国防（A&D）市场...  [详内文]

大疆发布首款140W氮化镓快充充电器

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 06 月 09 日 15:17 | 分类 氮化镓GaN | edit

6月8日，大疆发布品牌首款高效能氮化镓快充充电器POWER 140W。该充电器采用第三代氮化镓（GaN）芯片，机身尺寸68.3mm×32.2mm×64mm，重量约245g，搭配折叠式插头设计，便于收纳携带。 作为第三代半导体材料，氮化镓现已广泛应用于大功率快充设备。相较于传统硅基...  [详内文]

国内车企发布SiC MOSFET领域关键技术成果

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 06 月 09 日 15:10 | 分类 碳化硅SiC | edit

在近期举行的国际功率半导体器件与集成电路会议（ISPSD）上，理想汽车功率芯片团队发表了两篇论文，分别围绕SiC MOSFET芯片中极低概率工艺缺陷的识别与拦截方法，以及考虑温度变化影响的芯片寿命预测模型展开。两项研究基于大量测试数据，揭示了传统测试方法可能高估芯片寿命的问题，并...  [详内文]