氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)技术正迎来重大突破。近日,纯化合物半导体代工厂#稳懋半导体(WIN Semiconductors)推出基于SiC衬底的0.12微米栅极长度D型GaN HEMT技术,预计2025年第三季度量产,这将显著提升高频射频电路性能,加速GaN技术在5G/...  [详内文]
稳懋半导体发布基于SiC衬底的0.12μm GaN HEMT |
| 作者 KikiWang|发布日期 2025 年 06 月 06 日 13:56 | 分类 企业 , 氮化镓GaN |
