银河微电推出新品，解决SiC器件应用适配难题

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 05 月 26 日 14:32 | 分类 碳化硅SiC | edit

近日，银河微电官微宣布推出SMAJ2005CA系列车规级双向非对称TVS二极管，专为碳化硅（SiC）MOSFET栅极保护设计，单器件即可实现一正一负精准钳位，解决传统方案适配性不足的问题。 当前新能源汽车、AI数据中心及工业电源市场快速发展，SiC器件凭借高频、高压、耐高温特性，...  [详内文]

三年攻坚！三安光电宣布碳化硅重大突破

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 05 月 26 日 14:29 | 分类 碳化硅SiC | edit

近日，三安光电旗下湖南三安宣布，历经三年专项攻关，成功实现低电阻碳化硅衬底技术突破，成为全球少数掌握该核心技术的企业，相关产品已具备量产能力，将为AI服务器电源、新能源汽车等高端应用提供关键材料支撑。 当前，AI数据中心与云计算产业快速扩张，服务器电源成为影响数据中心PUE值及运...  [详内文]

高新发展：将加快IGBT产品迭代升级，攻坚SiC器件产品

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 05 月 25 日 15:11 | 分类 产业 | edit

2026年5月22日，高新发展召开业绩说明会。 在业绩说明会上，高新发展表示，2026年公司将做优功率半导体业务，加快IGBT产品迭代升级，攻坚SiC器件产品，布局MOS产品，进一步完善产品线谱系，聚焦储能、工控等核心领域，以“联合开发+定制化交付”为核心，绑定战略大客户，搭建“...  [详内文]

国产氧化镓光导开关刷新纪录！

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 05 月 25 日 15:09 | 分类 氧化镓 | edit

近日，深圳平湖实验室第四代半导体团队宣布重大技术突破：继2月推出万伏级垂直结构氧化镓光导开关后，团队联合镓仁半导体，基于国产氧化镓材料成功研发Mg掺杂超万伏级光导开关，核心性能刷新纪录。 光导开关作为高压直流输电、先进雷达、脉冲功率装置的核心器件，被称为高压系统的“命脉”，其耐压...  [详内文]

紫光国微拟19亿元收购瑞能半导，加速功率半导体布局

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 05 月 25 日 15:05 | 分类 企业 , 功率 | edit

5月22日，紫光国微发布《发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书》草案，计划通过发行股份及支付现金的方式，收购瑞能半导体科技股份有限公司（简称“瑞能半导”）100%股权，交易价格为19亿元。本次发行股份购买资产的价格为61.75元/股，其中15.2亿元通过发行股...  [详内文]

Wolfspeed推出两款3.3kV碳化硅功率模块

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 05 月 22 日 17:52 | 分类 碳化硅SiC | edit

5月21日，Wolfspeed推出布两款全新3.3kV碳化硅功率模块系列，采用行业标准封装的高功率半桥带基板模块，以及可扩展的全桥无基板模块，直击AI数据中心扩容、能源转型进程中凸显的电力供需瓶颈，为全球能源基础设施升级提供高性能解决方案。 此次新品包含两大核心品类，分别为大功率...  [详内文]

九峰山实验室攻克8英寸ALD钼工艺

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 05 月 22 日 17:49 | 分类 化合物半导体 | edit

近日，九峰山实验室化合物半导体中试工艺平台携手国内本土原子层沉积（ALD）设备企业开展联合技术攻关，顺利完成ALD金属钼工艺重大技术突破，此次技术成果落地也填补了国内相关工艺在8英寸量产平台应用领域的空白。 此次研发攻关过程中，研发团队选用稳定性强、使用效率更高的二氯二氧化钼作为...  [详内文]

浙江晶瑞SuperSiC 年产60万片8英寸碳化硅加速投产

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 05 月 22 日 17:46 | 分类 碳化硅SiC | edit

5月21日，“晶盛机电”官微发布消息，其子公司浙江晶瑞电子材料有限公司（简称“浙江晶瑞SuperSiC”）正抢抓战略发展机遇，全面加速年产60万片8英寸SiC衬底项目的投产，并同步启动新一期基础设施建设，以迎接未来AI、AR等新兴产业爆发式增长带来的需求。 图片来源：晶盛机电 ...  [详内文]

TMC2026 国际汽车动力系统技术年会「初步日程」首发

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 05 月 22 日 17:39 | 分类 展会 | edit

本届大会将汇聚全球整车、动力系统、产业链核心企业及科研院所技术专家，围绕动力系统关键技术与热点方向，通过全体大会、专题论坛、技术展示、新品发布与创新评选，共同探讨技术路线、前沿技术与工程创新。TMC2026期待与您共同推动动力系统技术深层次创新与落地，助力新能源汽车高质量发展。...  [详内文]

东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 05 月 21 日 15:12 | 分类 碳化硅SiC | edit

5月21日，东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。 随着生成式AI的快速发展，功耗不断上升已成为数据中心面临...  [详内文]