国产氧化镓光导开关刷新纪录！

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 05 月 25 日 15:09 | 分类氧化镓

近日，深圳平湖实验室第四代半导体团队宣布重大技术突破：继2月推出万伏级垂直结构氧化镓光导开关后，团队联合镓仁半导体，基于国产氧化镓材料成功研发Mg掺杂超万伏级光导开关，核心性能刷新纪录。光导开关作为高压直流输电、先进雷达、脉冲功率装置的核心器件，被称为高压系统的“命脉”，其耐压... [详内文]

紫光国微拟19亿元收购瑞能半导，加速功率半导体布局

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 05 月 25 日 15:05 | 分类企业 , 功率

5月22日，紫光国微发布《发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书》草案，计划通过发行股份及支付现金的方式，收购瑞能半导体科技股份有限公司（简称“瑞能半导”）100%股权，交易价格为19亿元。本次发行股份购买资产的价格为61.75元/股，其中15.2亿元通过发行股... [详内文]

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 05 月 22 日 17:52 | 分类碳化硅SiC

5月21日，Wolfspeed推出布两款全新3.3kV碳化硅功率模块系列，采用行业标准封装的高功率半桥带基板模块，以及可扩展的全桥无基板模块，直击AI数据中心扩容、能源转型进程中凸显的电力供需瓶颈，为全球能源基础设施升级提供高性能解决方案。此次新品包含两大核心品类，分别为大功率... [详内文]

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 05 月 22 日 17:49 | 分类化合物半导体

近日，九峰山实验室化合物半导体中试工艺平台携手国内本土原子层沉积（ALD）设备企业开展联合技术攻关，顺利完成ALD金属钼工艺重大技术突破，此次技术成果落地也填补了国内相关工艺在8英寸量产平台应用领域的空白。此次研发攻关过程中，研发团队选用稳定性强、使用效率更高的二氯二氧化钼作为... [详内文]

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 05 月 22 日 17:46 | 分类碳化硅SiC

5月21日，“晶盛机电”官微发布消息，其子公司浙江晶瑞电子材料有限公司（简称“浙江晶瑞SuperSiC”）正抢抓战略发展机遇，全面加速年产60万片8英寸SiC衬底项目的投产，并同步启动新一期基础设施建设，以迎接未来AI、AR等新兴产业爆发式增长带来的需求。图片来源：晶盛机电 ... [详内文]

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 05 月 22 日 17:39 | 分类展会

本届大会将汇聚全球整车、动力系统、产业链核心企业及科研院所技术专家，围绕动力系统关键技术与热点方向，通过全体大会、专题论坛、技术展示、新品发布与创新评选，共同探讨技术路线、前沿技术与工程创新。TMC2026期待与您共同推动动力系统技术深层次创新与落地，助力新能源汽车高质量发展。... [详内文]

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 05 月 21 日 15:12 | 分类碳化硅SiC

5月21日，东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。随着生成式AI的快速发展，功耗不断上升已成为数据中心面临... [详内文]

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 05 月 21 日 15:08 | 分类企业

在5月19日举行的2025年度暨2026年第一季度业绩说明会上，天岳先进董事长兼总经理宗艳民披露，得益于行业供需关系持续优化，公司2026年一季度毛利率环比大幅改善25个百分点，核心产品8英寸碳化硅衬底的全球市场占有率已达到51.3%。宗艳民指出，碳化硅材料的应用逻辑正从单一的... [详内文]

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 05 月 21 日 15:05 | 分类碳化硅SiC

近日，浙江大学杭州国际科创中心（简称科创中心）先进半导体研究院皮孝东教授与王蓉研究员团队官宣重大突破，成功制备出厚度超300微米的碳化硅（SiC）超厚外延薄膜，首次在国际上实现该厚度级别薄膜的稳定制备，为3万伏级超高压功率器件研发筑牢材料根基。作为第三代半导体核心材料，碳化硅具... [详内文]

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 05 月 21 日 14:51 | 分类展会

会议背景当前，全球能源结构加速转型，新能源发电、新型储能、新能源汽车、特高压输电等领域迎来爆发式增长，功率半导体作为电能转换、控制与传输的核心器件，是新能源产业升级的关键支撑。以SiC、GaN 为代表的宽禁带半导体技术突破，正重塑新能源装备的效率、功率密度与可靠性格局。先... [详内文]