4月11日,青禾晶元官方宣布,公司近日通过技术创新,在SiC键合衬底的研发上取得重要进展,在国内率先成功制备了8英寸SiC键合衬底。
8英寸N型SiC复合衬底(source:青禾晶元)
青禾晶元介绍,对比6英寸SiC晶圆,8英寸SiC晶圆可用面积几乎增加一倍,芯片产出可增加80...  [详内文]
青禾晶元8英寸SiC键合衬底技术获突破 |
作者 lin, lynn|发布日期 2024 年 04 月 12 日 10:15 | 分类 碳化硅SiC |