文章分类： 碳化硅SiC

龙泉首条无压烧结碳化硅陶瓷生产线试生产！

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 20 日 15:01 |
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| 分类: 碳化硅SiC
据龙泉发布消息，近日，浙江晶陶科技有限公司投资建设的年产600吨无压烧结碳化硅陶瓷生产线技改项目，近期已顺利进入试生产阶段。 图片来源：龙泉发布 无压烧结是一种先进的陶瓷烧结工艺，通过在高温下使陶瓷粉末颗粒之间发生扩散和重结晶，从而实现陶瓷的致密化。与传统的有压烧结相比，无压烧...  [详内文]

30亿+55亿，两大碳化硅项目签约

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 19 日 13:40 |
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| 分类: 碳化硅SiC
据陕蒙能源发布消息，近日，内蒙古自治区在碳化硅产业领域取得重要进展，准格尔旗和通辽市库伦旗分别签约高纯石英砂及碳化硅项目和碳化硅产业园项目，总投资额达85亿元。这标志着内蒙古正持续依托自身资源优势，积极推动硅基新材料产业发展。 内蒙古发展碳化硅产业拥有得天独厚的优势。首先是丰富的...  [详内文]

河南省碳化硅功能材料产业研究院揭牌

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 18 日 14:22 |
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| 分类: 碳化硅SiC
近期，河南省碳化硅功能材料产业研究院揭牌仪式在中宜创芯公司一楼广场举行。 资料显示，该产业研究院于今年1月14日获得河南省工业和信息化厅批复建设，建设期三年。由易成新材牵头，中宜创芯和淅川三责公司共同建设，依托碳化硅微粉国家CNAS认可实验室、浙大-平煤神马碳化硅半导体联合实验室...  [详内文]

湖南这家碳化硅设备厂商，1900℃高温炼出“芯”材料

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 15 日 14:28 |
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| 分类: 企业 , 碳化硅SiC
近日媒体报道，在湖南艾科威半导体装备有限公司（以下简称“艾科威”）里，一台制作半导体材料的碳化硅（SiC）高温激活炉正在装车，准备发往外地某芯片公司。 艾科威研发总监尹昊介绍，碳化硅高温激活炉，通过在高温环境下对碳化硅材料进行表面改性处理，实现晶圆表面石墨层的制备，主要应用于碳化...  [详内文]

11.2亿，这家辽宁碳化硅企业正式被收购！

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 15 日 14:21 |
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| 分类: 企业 , 碳化硅SiC
8月13日，正帆科技宣布以11.2亿元现金收购辽宁汉京半导体材料有限公司62.23%的股权，此次交易完成后，汉京半导体将成为正帆科技的控股子公司。 图片来源：正帆科技公告 此次收购的定价基于#汉京半导体 100%股权估值18亿元，资金来源包括#正帆科技 自有资金及银行贷款。支付...  [详内文]

国内首套！全国产碳化硅器件双向超充桩面世

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 14 日 14:06 |
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| 分类: 碳化硅SiC
据“南方电网报”报道，近日由广东电网公司佛山供电局生产指挥中心技术团队研发的全国首套“基于全国产化碳化硅器件的360千瓦/800伏特双向超充桩”通过新产品技术鉴定。 据介绍，该成果实现了三大突破：全国产化替代、充电效率跃升至98%、充电速度高达“5分钟续航200公里”，填补了国产...  [详内文]

台积电宣布退出/调整6、8英寸产能，SiC、GaN受关注！

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 13 日 14:09 |
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| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
8月12日，全球晶圆代工龙头台积电（TSMC）披露，董事会已决定在未来两年内逐步退出6英寸晶圆制造业务，并持续整并8英寸晶圆产能。此举对第三代半导体的碳化硅和氮化镓产生了不同程度的影响。 台积电在声明中指出，此项决定不会影响公司先前公布的财务目标，即2025年美元营收将增长约30...  [详内文]

深圳在氮化镓/碳化硅集成领域取得突破性进展！

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 12 日 13:49 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
“深圳国资”官微消息，近期由市属国企深重投集团与深圳市科技创新局联合打造的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台（以下简称“国创中心”）在氮化镓/碳化硅集成领域取得突破性进展。 国创中心首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量氮化铝镓/氮化镓异质结构外延。这一成果...  [详内文]

Wolfspeed、英诺赛科动态，涉及碳化硅、氮化镓新品

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 11 日 17:05 |
关键字: ,
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
第三代半导体领域，Wolfspeed与英诺赛科近日推出创新产品——Wolfspeed发布第四代1200V车规级碳化硅MOSFET，英诺赛科推出全球首款100V氮化镓低边驱动IC，双双发力，为新能源汽车动力系统与电池管理生态注入新动能。 1、Wolfspeed推出第四代1200V车...  [详内文]

国际首次突破！深圳平湖实验室攻克GaN/SiC单片集成技术瓶颈

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 11 日 16:52 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
8月7日，深圳平湖实验室官微宣布，深圳平湖实验室近日在GaN/SiC集成领域取得突破性进展，在国际上首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量AlGaN/GaN异质结构外延。 据了解，该成果打破了大尺寸GaN与SiC材料单片集成的技术瓶颈，为GaN/SiC混合器件的发...  [详内文]