近日,在行业会议上,复旦大学研究团队宣布,其基于电荷平衡理论,通过对离子注入工艺的深度优化,成功设计并制备出正交结构和平行结构两种不同布局的1.7kV 4H-SiC电荷平衡辅助SiC MOSFET器件。这一创新成果,相较于传统超结结构,在保障器件性能的同时,不仅大幅降低了制造成本...  [详内文]
复旦碳化硅器件新突破:成功制备两种布局 1.7kV MOSFET |
作者 KikiWang | 发布日期: 2025 年 06 月 16 日 13:57 | | 分类: 碳化硅SiC |