文章分类： 碳化硅SiC

聚焦碳化硅核心材料，三孚股份关键项目验收

作者 | 发布日期: 2026 年 01 月 05 日 15:38 |
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| 分类: 碳化硅SiC
近日，唐山三孚硅业股份有限公司（简称“三孚股份”）发布公告披露，其全资子公司唐山三孚电子材料有限公司新建的“正硅酸乙酯充装及储存项目”已正式通过验收并取得相关批复许可，标志着公司8000吨/年高纯正硅酸乙酯的生产及充装能力全面落地，为半导体关键辅材国产化进程再添助力。 图片来源...  [详内文]

比亚迪公开新款1500V碳化硅功率模块规格书

作者 | 发布日期: 2026 年 01 月 05 日 15:34 |
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| 分类: 企业 , 碳化硅SiC
近日，比亚迪半导体对外发布碳化硅（SiC）功率模块BME1400B15JE34U5N的完整规格书，这意味着这款此前仅用于自研车型的核心部件，如今已具备批量对外供货能力。 图片来源：比亚迪半导体规格书截图 该模块为比亚迪超级e平台千伏高压架构配套部件，基于#第三代半导体 材料研发...  [详内文]

总投资30亿元，12英寸硅基晶圆衬底项目正式签约

作者 | 发布日期: 2026 年 01 月 04 日 15:34 |
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| 分类: 碳化硅SiC
近日，总投资30亿元的集成电路级12英寸硅基晶圆衬底材料研发中心及产业化项目投资签约活动举行，该项目正式落地麒麟科创园，将为区域半导体产业发展提供支撑，助力提升我国关键半导体材料国产化水平。 据悉，此次落地项目由江苏卓航致远科技有限公司主导建设，该公司由江苏卓远半导体有限公司全资...  [详内文]

这家厂商发布高纯度P型SiC衬底，赋能IGBT产业升级

作者 | 发布日期: 2025 年 12 月 31 日 17:23 |
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| 分类: 碳化硅SiC
近期，江苏超芯星半导体有限公司（以下简称超芯星）正式在全球同步发布High Purity P-type SiC（高纯度P型碳化硅）衬底。 图片来源：超芯星 资料显示，P型碳化硅衬底是制备超高压IGBT的核心基础材料。长期以来，全球P型碳化硅衬底行业始终被一个致命痛点困扰——Fe...  [详内文]

这家设备厂实现12英寸碳化硅单晶炉小批量发货

作者 | 发布日期: 2025 年 12 月 30 日 15:09 |
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| 分类: 企业 , 碳化硅SiC
2025年12月，晶升股份在碳化硅单晶炉领域迈出关键一步：公司自主研发的12英寸碳化硅单晶炉已于12月29日完成小批量发货，正式交付客户投入应用。这一进展不仅填补了国产300mm SiC长晶设备的空白，也为12英寸碳化硅衬底在先进封装、AR眼镜等新兴场景的落地奠定了“材料之基”。...  [详内文]

这家公司水导激光技术成功实现12英寸碳化硅晶锭一次性高效精密加工

作者 | 发布日期: 2025 年 12 月 29 日 15:53 |
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| 分类: 碳化硅SiC
近期，晟光硅研成功应用水导激光加工技术，对12英寸超大尺寸碳化硅晶锭实现了高质量、高效率的精密加工，具备应对超厚材料能力强、加工质量卓越、适用于大尺寸工件、环保与高效等特点，未来有望提升衬底制备能力、降低综合成本，为我国第三代半导体产业的自主可控与高质量发展注入强劲动能。 图片...  [详内文]

晶盛机电12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付

作者 | 发布日期: 2025 年 12 月 26 日 16:38 |
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| 分类: 碳化硅SiC
近日，晶盛机电在碳化硅（SiC）核心装备领域取得重大突破，12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付全球头部SiC外延晶片生产商#瀚天天成。 新设备采用独创“垂直分流进气”结构，可在同一平台兼容8/12英寸工艺，实现晶圆表面温度≤±0.5℃的高精度闭环控制、工艺气体多区独立控制、全...  [详内文]

产学签约！联合攻关8英寸液相法SiC制备

作者 | 发布日期: 2025 年 12 月 26 日 16:33 |
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| 分类: 碳化硅SiC
近日，常州臻晶半导体有限公司与南昌大学国际材料创新研究院正式签署战略合作协议，双方将聚焦“8英寸厚SiC单晶的低成本制备”这一产业核心课题，依托臻晶半导体自主研发的液相法碳化硅长晶炉及全套工艺技术支持，开展深度联合攻关。 图片来源：江西省公共资源交易平台截图 臻晶半导体成立于2...  [详内文]

7.5亿+20亿，安徽两大碳化硅相关项目开工/投产

作者 | 发布日期: 2025 年 12 月 26 日 16:27 |
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| 分类: 碳化硅SiC
12月26日，安徽半导体产业一日连传两大捷报：合肥高新区，总投资7.5亿元的“四象半导体部件总部基地”破土动工。向北400公里的穆棱，北一半导体20亿元的三期项目宣布投产。 总投资7.5亿！一半导体部件总部生产基地项目在皖开工 近日，四象半导体部件总部生产基地项目在高新区正式开工...  [详内文]

全球首发！瀚天天成12英寸SiC外延晶片正式发布

作者 | 发布日期: 2025 年 12 月 24 日 16:27 |
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| 分类: 碳化硅SiC
近日，瀚天天成全球首发12英寸碳化硅外延晶片。 作为宽禁带半导体的核心材料，SiC外延晶片是制造高压、高温、高频功率器件的关键基础，广泛应用于新能源汽车、光伏储能、轨道交通、航空航天等战略性新兴产业。 随着下游行业对器件性能、能效要求的不断提升，大尺寸SiC外延晶片成为产业升级的...  [详内文]