Tag Archives: 氧化镓

氧化镓产业“渐入佳境”！
作者 |发布日期 2023 年 07 月 31 日 17:15 | 分类 碳化硅SiC
三菱电机公司今天宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.——一家开发和销售氧化镓晶圆的日本公司，氧化镓晶圆是一个很有前途的候选者。三菱电机打算加快开发优质节能功率半导体，以支持全球脱碳。 Novel Crystal Technology 目前是世...  [详内文]

氧化镓商业化，迈出重要一步
作者 |发布日期 2023 年 04 月 17 日 17:40 | 分类 氮化镓GaN
日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）4月6日宣布，作为NEDO推动的“战略节能技术创新计划”的一部分，Novel Crystal Technology正在致力于β-Ga2O3肖特基势垒二极管的商业化开发。宣布已成功确认氧化镓 (β-Ga2O3) 肖特基势垒二极管 (SBD)...  [详内文]

金额近亿元，第四代半导体公司进化半导体完成A轮融资
作者 |发布日期 2023 年 04 月 14 日 16:51 | 分类 产业
4月14日，进化半导体官方正式宣布完成近亿元人民币融资，资金将主要用于持续研发投入和团队扩充。 本轮融资由中合汽车基金和同创伟业领投，国发创投、深圳高新投、浙商创投、泰融资本等知名投资机构跟投，老股东祥峰投资继续加注。 据悉，进化半导体成立于2021年5月，公司专注于以创新技术制...  [详内文]

专注于第四代半导体，镓仁半导体完成天使轮融资
作者 |发布日期 2023 年 04 月 04 日 15:05 | 分类 产业
根据蓝驰创投官方消息，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称：镓仁半导体）近日正式完成数千万天使轮融资。该轮融资由蓝驰创投领投，禹泉资本跟投；融资将用于强化团队、加速氧化镓衬底材料新方法及中试线研发。 据悉，氧化镓是一种无机化合物。作为第四代半导体的代表，氧化镓被视为“替代碳化硅和氮化...  [详内文]

中国第一，韩媒发布氧化镓有效专利持有量排名
作者 |发布日期 2023 年 03 月 27 日 17:18 | 分类 氮化镓GaN
据韩媒报道，日前，韩国举办了“氧化镓功率半导体技术路线图研讨会”，会上公布了氧化镓专利申请情况。 根据AnA Patent对韩国、中国、美国、欧洲、日本等6个主要PCT国家/地区所持有的氧化镓功率半导体元件有效专利分析，截至2021年9月共有1011件专利，其中中国拥有328件，...  [详内文]

西安邮电大学成功在8吋硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片
作者 |发布日期 2023 年 03 月 10 日 17:14 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
近日，西安邮电大学由电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8吋硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着我校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。 图片来源：西邮新闻网 据陈海峰教授介绍，氧化镓是一种超宽禁带半导体材料，具有优异的耐高压与日盲...  [详内文]

国内第一，这颗6英寸氧化镓单晶击碎“卡脖子”
作者 |发布日期 2023 年 03 月 01 日 8:57 | 分类 氮化镓GaN
昨（27）日，中国电子科技集团有限公司（中国电科）宣布，近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。 图片来源：拍信网正版图库 01、中国电科46所成功制备6英寸氧化镓单晶 氧化镓，是继Si、SiC及GaN后的第四代宽禁带半导体材料，以β-Ga2O...  [详内文]

中国科大研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管
作者 |发布日期 2023 年 02 月 27 日 17:13 | 分类 氮化镓GaN
近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展，分别采用氧气氛围退火和N离子注入技术，首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。 相关研究成果分别以“Enhancement-modeβ-Ga2O3U-shaped g...  [详内文]