相关资讯：碳化硅

印度积极布局第三代半导体
作者 |发布日期 2025 年 02 月 19 日 10:36 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
近年，印度积极推动半导体产业发展，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体正受到极大关注。 近期，外媒报道，印度信息技术部长阿什维尼·瓦伊什纳透露，首款“印度制造”芯片有望于今年9月或10月亮相，同时，印度也正在研发氮化镓芯片。 据悉，印度已向位于班加罗尔的科学研究所 (IISc) ...  [详内文]

三家功率半导体相关企业获得新一轮融资
作者 |发布日期 2025 年 02 月 18 日 10:52 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
功率半导体作为半导体产业中的重要细分领域，近年随着新能源、汽车电子等领域的快速发展，功率半导体需求与日俱增，也愈发受到资本市场关注。近期，市场传出三家功率半导体相关公司获得新一轮融资，涉及碳化硅、氮化镓、IGBT等领域。 01瑞为新材完成新一轮股权融资 2月17日，“君联资本”官...  [详内文]

三安光电回复碳化硅项目进展
作者 |发布日期 2025 年 02 月 18 日 10:23 | 分类 碳化硅SiC
近期，投资者在互动平台询问三安光电，湖南三安二期、斯科半导及重庆意法这三个项目的各自进展情况如何，是否投入生产，是否大批量生产，各自产量如何？8英寸项目现状如何？ 该公司回答表示：湖南三安已拥有碳化硅配套产能16,000片/月，后续扩产后配套年产能将达到36万片/年，目前8英寸碳...  [详内文]

天岳先进赴港上市新进展
作者 |发布日期 2025 年 02 月 17 日 10:37 | 分类 碳化硅SiC
近期，天岳先进披露了“2025年第一次临时股东大会会议资料”，本次大会将提请审议的包括关于公司发行H股股票并在香港联合交易所有限公司上市的议案、上市方案的议案，以及关于选举公司第二届董事会非独立董事、独立董事的议案等。 天岳先进成立于2010年11月，注册资本4.3亿元。作为一家...  [详内文]

中国碳化硅新动作，涉及烁科晶体/理想汽车
作者 |发布日期 2025 年 02 月 14 日 17:06 | 分类 碳化硅SiC
近期，中国碳化硅（SiC）产业又传来两条重磅消息：烁科晶体二期项目全面投产，新增20万片产能；理想汽车自研碳化硅功率芯片完成装机，纯电车型将陆续搭载。 烁科晶体：二期项目全面投产 据“投资山西”2月10日消息，烁科晶体的二期碳化硅产线已经全面投产，将为烁科晶体带来每年20万片碳化...  [详内文]

安徽省首条先进工艺SiC车规功率模块产线下线
作者 |发布日期 2025 年 02 月 14 日 15:30 | 分类 碳化硅SiC
据“JLAE钧联电子”消息，2月11日，钧联电子安徽省首条先进工艺SiC车规功率模块产线下线。这一里程碑标志着钧联电子在新能源核心零部件领域的技术突破与产业化进程迈入全新阶段。 整条产线凭借其核心竞争优势，可满足800V高压平台车型、eVTOL航空器等领域对动力系统核心功率器件的...  [详内文]

斥资50亿美元，Wolfspeed碳化硅晶圆厂将竣工
作者 |发布日期 2025 年 02 月 07 日 19:40 | 分类 企业
随着电动汽车、可再生能源系统以及AI人工智能等多个领域对碳化硅需求增加，碳化硅晶圆厂的投资也在持续上升。全球各地积极兴建碳化硅晶圆厂。近期，又一家碳化硅工厂传出即将竣工的消息。 Wolfspeed碳化硅晶圆厂将竣工 近期，媒体报道Wolfspeed斥资50亿美元建设的碳化硅晶圆厂...  [详内文]

5亿增资！天岳先进发力全资子公司
作者 |发布日期 2025 年 02 月 05 日 19:49 | 分类 企业
近日，天岳先进发布公告，公司计划对全资子公司上海天岳半导体材料有限公司（以下简称“上海天岳”）进行增资，增资金额高达5亿元。此次增资完成后，上海天岳的注册资本将由目前的4亿元提升至9亿元。 source：天岳先进 公开资料显示，2024 年更是在全球导电型碳化硅衬底材料市场占有...  [详内文]

闻泰科技6.16亿剥离三家公司，碳化硅与氮化镓成转型关键
作者 |发布日期 2025 年 01 月 25 日 15:57 | 分类 企业
1月24日，闻泰科技公告，其全资子公司闻泰通讯与立讯通讯达成协议，签署《股权转让协议》，计划转让嘉兴永瑞、上海闻泰电子和上海闻泰信息（含下属子公司）100%股权，转让价款暂定为6.16亿元。 从财务数据来看，此次闻泰通讯出售的三家企业经营状况并不乐观。2024年前三季度，嘉兴永...  [详内文]

中国首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功
作者 |发布日期 2025 年 01 月 22 日 17:19 | 分类 功率
1月21日，中科院微电子研究所发布消息称，我国首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功。该所刘新宇、汤益丹团队和中国科学院空间应用工程与技术中心刘彦民团队等开展合作，成功研制出首款国产高压抗辐射碳化硅（SiC）功率器件及其电源系统。 这一突破标志着我国在半导体功率器件领域迈向新高度。...  [详内文]