Tag Archives: GaN HEMTs

全球首片8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆发布

作者 |发布日期 2024 年 04 月 11 日 18:00 | 分类 产业
4月10日,在2024武汉九峰山论坛上,西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授课题组李祥东团队与广东致能科技联合攻关,展示了全球首片8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆。通过调控外延工艺,外延片不均匀性控制在4%以内,所制备的HEMTs器件的cp测试良率超过95%,击穿电压突破了2...  [详内文]