相关资讯：GaN

首个1700V GaN HEMT器件发布
作者 |发布日期 2024 年 01 月 24 日 17:17 | 分类 功率
近日，广东致能科技团队与西安电子科技大学广州研究院/广州第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授团队等等合作攻关，通过采用广东致能科技有限公司的薄缓冲层AlGaN / GaN外延片，基于广州第三代半导体创新中心中试平台，成功在6英寸蓝宝石衬底上实现了1700V GaN HEMTs...  [详内文]

Veeco更新2023第四季度业绩指引、公布2024业绩展望
作者 |发布日期 2024 年 01 月 23 日 10:35 | 分类 企业
日前，美国半导体设备厂商Veeco更新了2023年第四季度业绩指引，并公布2024年初步展望。 Veeco将第四季度营收指引更新为1.65-1.75亿美元（此前预估为1.55-1.75亿美元），按照通用会计准则、非通用会计准则计算，稀释每股收益分别为0.27-0.32美元（GAA...  [详内文]

SiC/GaN的2023年：10大年度事件盘点
作者 |发布日期 2024 年 01 月 22 日 10:55 | 分类 功率
岁末已至，“集邦化合物半导体”评选出了2023年度行业十大事件与大家分享。 一同回顾不凡的2023年。 作为近年来半导体产业热议话题之一，第三代半导体在能源结构升级的过程中发挥着重要的作用。 随着新能源汽车、光伏、储能、充电桩等场景对电能转换效率提出更高的要求，同时在成本和安...  [详内文]

湖南三安与Luminus签订独家销售协议
作者 |发布日期 2024 年 01 月 11 日 14:34 | 分类 功率
1月8日，Luminus Devices宣布，湖南三安半导体与其签署了一项合作协议，Luminus将成为湖南三安SiC和GaN产品在美洲的独家销售渠道，面向功率半导体应用市场。 湖南三安借力Luminus快速打入美洲市场 目前，湖南三安半导体的业务分为两部分，一是提供SiC二极管...  [详内文]

台系GaN企业鸿镓科技打进日系供应链
作者 |发布日期 2024 年 01 月 04 日 16:45 | 分类 企业
鸿镓科技专注于氮化镓（GaN）研发技术，提供节能省电的功率半导体组件与终端产品。深耕布局日本GaN快充市场、为中国台湾地区首家打入要求严格的日商供应链公司; 研发技术也获得电源大厂环隆科技所采用。鸿镓科技提供的65W GaN快充，通过了日本PSE认证。鸿镓科技亦积极布局半导体领域...  [详内文]

1.25亿，校企联手瞄准GaN
作者 |发布日期 2024 年 01 月 03 日 17:45 | 分类 企业
2024年1月2日，据外媒消息，亚利桑那州立大学 (ASU) 与恩智浦半导体公司（下文简称“恩智浦”）签署了协议，双方将在封装领域建立新的合作伙伴关系。在亚利桑那州商务局的支持下，亚利桑那州立大学获得了1750万美元（折合人民币约1.25亿元）的投资。 据介绍，亚利桑那州立大学此...  [详内文]

韩国APROSEMICON公司新建GaN生产基地
作者 |发布日期 2023 年 12 月 25 日 17:45 | 分类 企业
据外媒消息，近日，韩国APROSEMICON公司（首席执行官Jonghyun Lim）将把其光州总部迁至庆北龟尾，并投资600亿韩元（折合人民币约3.3亿元）建设以氮化镓 (GaN) 为基础的功率半导体生产设施。 为此，该公司于12日与庆尚北道和龟尾市签署了谅解备忘录。Apros...  [详内文]

南京国盛第一枚GaN on Si外延片正式下线
作者 |发布日期 2023 年 12 月 25 日 17:43 | 分类 企业
12月22日，电科材料下属国盛公司南京外延材料产业基地项目第一枚硅基氮化镓（GaN on Si）外延片正式下线。 据介绍，GaN on Si材料具有高频率、低损耗、抗辐射性强等优势，制成的器件还有一定的成本优势，具有较强的竞争力。国盛公司制备的GaN on Si外延片，可以满足电...  [详内文]

易达通GaN功率元件能源转换效率已超92%
作者 |发布日期 2023 年 12 月 12 日 17:45 | 分类 功率
近日据报道，IDM创企易达通科技已推出多款氮化镓（GaN）功率IC，采用蓝宝石衬底及LED制程，获得全球三大LED集团青睐，其中2家已下单。执行长林仕国表示，GaN具有宽能隙、高电压驱动及耐高温特性，搭载蓝宝石衬底可制造各种功率元件，采用碳化硅（SiC）衬底则可制造射频元件。 据...  [详内文]

中科重仪自研功率型GaN-on-Si生产线投产
作者 |发布日期 2023 年 12 月 11 日 17:41 | 分类 功率
近日，苏州中科重仪半导体材料有限公司（以下简称中科重仪）自主研发的应用于电力电子领域的大尺寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延片生产线正式建成并投入使用。 据介绍，目前GaN材料外延生长的主流方法是金属有机化学气相沉积法（MOCVD），由于针对功率型大尺寸GaN-on-Si材料...  [详内文]