宽禁带半导体（如碳化硅SiC、氮化镓GaN）及超宽禁带半导体（如氧化镓Ga₂O₃、金刚石）因具备高击穿电场、高电子迁移率及高热导率等特性，成为支撑高压、高频、高功率应用的核心材料，可广泛应用于5G/6G通信、新能源汽车、智能电网、轨道交通、航空航天、数据中心以及高端消费电子等关键...  [详内文]