2月3日，上海市第十六届人大四次会议在世博中心开幕。上海市市长龚正作《政府工作报告》。报告表示，今年要推进临港科创城建设，加快打造一批高水平科创社区，持续提升东方芯港、大飞机园等特色产业园区能级，大力培育发展脑机接口、第四代半导体等未来产业。
第四代半导体是继第一代硅基半导体、第二代化合物半导体（如砷化镓、磷化铟）、第三代宽禁带半导体（如碳化硅、氮化镓）之后，面向极端环境与超高能效需求的新型半导体材料体系，核心特征是“超宽禁带、超高热导率、超强稳定性”，目前以氧化镓（Ga₂O₃）、金刚石（C）、氮化铝（AlN）为代表，正逐步从实验室走向产业化验证。
相较于前三代产品，第四代半导体器件可实现更高能效、更小体积和更低能耗，能有效突破现有半导体的性能瓶颈，广泛应用于800V新能源汽车高压平台、智能电网、储能变流器、太赫兹通信、量子芯片等高端领域，被视为下一代功率电子产业的核心突破口，也是全球半导体产业竞争的新焦点。目前，三星电子、英特尔等全球企业均在积极布局相关领域，争夺产业发展先机。
上海方面，依托高能级科创平台和科研院所，在第四代半导体核心技术领域持续突破，多项成果达到国际领先水平。
其中，中国科学院上海光机所作为国内较早从事氧化镓晶体研究的单位，在上海市科委第四代半导体战略前沿专项的支持下，联合杭州富加镓业科技有限公司，在国际上首次采用垂直布里奇曼法（VB法）制备出8英寸氧化镓晶体，刷新了国际VB法制备氧化镓晶体的最大尺寸纪录，具有里程碑式意义——当前国内功率器件产线以8英寸平台为主流，该尺寸晶体可直接适配现有产线工艺，大幅降低产业链适配成本，加速氧化镓从实验室走向产业应用的步伐。
（集邦化合物半导体整理）
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