宽禁带半导体（如碳化硅SiC、氮化镓GaN）及超宽禁带半导体（如氧化镓Ga₂O₃、金刚石）因具备高击穿电场、高电子迁移率及高热导率等特性，成为支撑高压、高频、高功率应用的核心材料，可广泛应用于5G/6G通信、新能源汽车、智能电网、轨道交通、航空航天、数据中心以及高端消费电子等关键领域。
上海临港加码布局超宽禁带半导体
5月12日，上海市集成电路行业协会主办的”2025上海宽禁带与超宽禁带半导体产业创新发展推进会在#临港新片区 国际创新协同区召开。
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会上，上海市超宽禁带半导体未来产业集聚区在临港新片区宣告启动建设，上海市宽禁带与超宽禁带半导体材料重点实验室正式揭牌，临港新片区发布十条支持宽禁带与超宽禁带半导体产业发展政策，超宽禁带半导体概念验证中心、集成电路材料概念验证中心启动建设，宽禁带与超宽禁带产业基金矩阵正式发布，超宽禁带半导体创新发展联盟发起成立。
上海市宽禁带与超宽禁带半导体材料重点实验室由上海天岳半导体材料有限公司联合中国科学院上海光学精密机械研究所共同筹建，致力于打通科技创新和产业化双向链接通道，支撑国家低碳战略、数字经济可持续发展。
超宽禁带半导体概念验证中心、集成电路材料概念验证中心这两个中心将依托临港新片区产业布局优势，重点推进技术可行性与商业潜力验证，帮助项目快速突破早期技术验证到产业转化的瓶颈，加速技术研发和成果产业化。
临港新片区发布的10条支持宽禁带与超宽禁带半导体产业发展政策旨在从多个方面为产业发展提供支持，包括但不限于资金扶持、税收优惠、人才引进等，以促进产业集聚和发展。
宽禁带与超宽禁带产业基金矩阵则由上海市未来产业基金、新微资本、中科创星、华业天成、凯风创投、临创司南基金等9家机构组成，以“耐心资本”姿态为行业发展提供全方位支持。
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此外，超宽禁带半导体创新发展联盟发起成立。该联盟集聚全国相关领域高校、科研院所及企业，构建研发、生产、资本深度融合的产业技术创新体系，引领上海宽禁带与超宽禁带半导体产业集聚协同发展。
多举措完善产业生态，目标直指200亿
根据《临港新片区宽禁带半导体专项行动计划（2024-2026）》，至2026年，片区目标形成200亿元产值规模。当前，临港新片区依托“东方芯港”特色园区，已集聚了积塔、天岳、瞻芯等一批宽禁带半导体头部企业，涵盖材料制备、芯片设计、封装测试等环节。例如，国内领先的碳化硅衬底材料企业上海天岳半导体材料有限公司已在临港建设智能工厂，大幅提升高端碳化硅衬底的产能与质量。
据悉，临港新片区将持续通过做大晶圆制造规模、夯实衬底外延优势、吸引模组器件集聚和加大对宽禁带半导体专用设备的研发和验证扶持力度等具体措施，丰富完善产业生态，打造从器件设计、衬底生产、晶圆制造、模组封装到终端应用的全产业链条。平台建设方面，临港已建成国内首个“超宽禁带半导体材料检测评价中心”
此次，超宽禁带半导体未来产业集聚区落子临港新片区，旨在发挥临港新片区产业与资源禀赋，深化市区联动，在关键技术攻关、应用场景建设、公共技术平台建设等方面加强政策支撑，持续推动创新链、产业链、资金链和人才链的深度融合，加速形成更适宜宽禁带与超宽禁带半导体产业培育壮大的创新生态。
（集邦化合物半导体 妮蔻 整理）