近日,芯联集成宣布,依托自研8英寸碳化硅(SiC)工艺平台,正式推出3300V SiC MOSFET器件。该产品面向固态变压器(SST)等高压、高功率密度、高可靠性应用场景进行定制设计,目前已向核心客户送样验证。
该产品基于8英寸产线自研高压平面栅SiC MOSFET技术,以更小...  [详内文]
芯联集成推出3300V SiC MOSFET器件,面向固态变压器高压应用 |
| 作者 KikiWang|发布日期 2026 年 06 月 22 日 15:49 | 分类 碳化硅SiC |
