两万伏、上千小时：国产HTRB设备给SiC做可靠性“长跑”

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 10 月 30 日 18:40 | 分类 企业 | edit

一颗功率器件通过了耐压测试，是否就意味着它可以进入汽车、电网等长期运行的应用环境？ 答案是否定的。 耐压、漏电流等性能指标，反映的是器件在测试当下是否达到要求；而在真实应用中，器件还要经受温度、电场和时间的共同考验。对于电压等级不断提升的SiC器件来说，性能测试之外，长期可靠性验...  [详内文]

全球首座300毫米GaN工厂，宣布投建！

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 10 月 28 日 18:16 | 分类 氮化镓GaN | edit

10月27日英飞凌宣布将在欧洲打造全球首个基于300毫米晶圆的新一代氮化镓（GaN）功率半导体大规模生产基地。项目选址奥地利菲拉赫工厂，计划到2034年累计投入约11亿欧元，改造升级厂区现有洁净室设施，新产线规划于2027年底投产。 欧盟委员会已批准为该项目提供3.19亿欧元国家...  [详内文]

功率半导体厂商完成1亿元融资

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 10 月 27 日 15:42 | 分类 企业 | edit

近日，安徽瑞迪微电子有限公司宣布完成1亿元人民币新一轮融资交割。本轮融资由现有股东高新控股（高新国控）独家增资。作为瑞迪微电子的长期战略投资者，高新控股此前已多轮参与其融资。 从业务基本面来看，瑞迪微电子扎根芜湖高新区，专注于功率半导体赛道。公司目前已构建起涵盖芯片设计、模块封装...  [详内文]

台湾地区碳化硅衬底企业盛新材料登陆兴柜

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 10 月 27 日 15:15 | 分类 企业 , 碳化硅SiC | edit

近期，媒体报道，台湾地区碳化硅衬底企业盛新材料登录兴柜交易，成为台湾地区首家以碳化硅材料为核心业务进入兴柜市场的公司。 台湾地区的股票市场结构大致遵循“兴柜—上柜—上市”的渐进路径。兴柜市场可视为一个具备交易功能的预备平台，功能上类似于大陆的新三板。根据当地规定，盛新材料需在兴柜...  [详内文]

25.94亿元，投向功率半导体

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 10 月 27 日 15:13 | 分类 企业 , 第三代半导体 | edit

近日，美国商务部、NIST发布公告，依托《芯片与科学法案》（CHIPS and Science Act）研发资助计划，美方与四家企业签署意向书，计划提供最高3.89亿美元（约合人民币25.94亿元）研发补助，投向高压功率半导体、垂直氮化镓（GaN）器件、超高纯度石英材料等方向，相...  [详内文]

倒计时30天｜APCSCRM 2026 期待与您见面！

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 10 月 27 日 14:57 | 分类 展会 | edit

第七届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2026）将于2026年11月25日-27日在中国·北京召开，预计参会规模500人。会议以“Application-Driven Innovation”为主题，聚焦宽禁带半导体全产业链创新，涵盖装备、材料、器件、...  [详内文]

AACE2027北京人工智能算力及液冷技术展定档6月北京举办

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 10 月 27 日 14:15 | 分类 展会 | edit

AACE2027亚洲AI算力及液冷技术展（以下简称“AACE2027”）正式定档，将于2027年6月26日至28日在北京举办。本届展会规划展出面积35,000平方米，定向邀约395家算力与液冷产业链企业参展，预计接待26,000名付费专业观众，并组织10支海外采购团及5家国际财...  [详内文]

这家化合物半导体厂商，Q3净利润同比增长2642%

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 10 月 23 日 18:27 | 分类 企业 | edit

10月20日，云南锗业发布2026年第三季度报告。公告数据显示，公司第三季度营业收入为6.32亿元，同比增长134.61%；归属于上市公司股东的净利润为1.02亿元，同比增长2642.24%。前三季度营业收入为13.64亿元，同比增长70.71%；归属于上市公司股东的净利润为1....  [详内文]

英飞凌与英伟达，扩大GaN供电合作

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 10 月 22 日 19:08 | 分类 氮化镓GaN | edit

10月21日，英飞凌在英伟达柏林GTC开发者大会期间对外宣布，深化与英伟达在AI数据中心供电领域的合作，双方将基于氮化镓（GaN）功率器件，共同开发适配800伏直流（800V DC）架构的高压中间总线转换器（IBC）方案。本次合作是双方自2025年启动800V DC供电项目后的延...  [详内文]

利普思扬州车规级SiC模块基地封顶，一期规划年产能150万只

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 10 月 21 日 17:05 | 分类 碳化硅SiC | edit

10月20日，无锡利普思半导体有限公司扬州生产基地在扬州市江都区完成主体结构封顶。该基地为车规级第三代功率半导体模块项目，总投资10亿元，一期投资约2亿元，达产后预计形成年产150万只SiC模块的能力。项目于今年3月29日开工，预计2027年4月完成通线。 图片来源：利普思半导...  [详内文]