近期，碳化硅（SiC）技术领域迎来了诸多创新突破，众多企业纷纷在专利方面取得显著成果。这些专利不仅涵盖了材料生长、器件制造、加工工艺等多个环节，还体现了碳化硅技术在新能源汽车、电力电子、半导体等领域的广泛应用前景。
1、比亚迪：优化外延生长工艺设计
5月13日，比亚迪 获得了一项名为“碳化硅外延生长环和碳化硅外延生长装置”的实用新型专利授权。该专利通过独特的外延生长环设计，有效解决了碳化硅衬底在生长过程中的定位和保护问题，显著降低了外延片的背面雾化面积，提高了雾化良率。这一技术突破对于提升碳化硅器件的生产效率和质量具有重要意义，进一步巩固了比亚迪在新能源汽车功率半导体领域的技术优势。
2、昂拓科技：创新超声加工装置
5月12日，昂拓科技（苏州）有限公司披露了一项名为“一种碳化硅材料超声波加工装置”的专利（公开号CN119952542A）。该发明涉及超声波加工设备领域，通过创新性地取消了气缸等外部运动部件和PLC设置，并采用U字形刀夹套接刀柄，将供电模块直接贴设于刀柄并通过固定工装连接至机床主轴下方。这种设计简化了设备结构，减少了接触面积和潜在干涉，并省去了多项检测步骤，旨在提高碳化硅材料的超声波加工效率和实用性。
3、晶盛机电：联合创新激光切割与坩埚技术
5月8日消息，浙江求是半导体设备有限公司、浙江晶瑞电子材料有限公司、浙江晶盛机电股份有限公司 共同申请了“碳化硅晶锭激光切割方法及切割系统”的专利(CN119927468A)。该专利提出了一种新的激光切割方法，通过增设第二光束以相位调制的方式跟随第一光束同步扫描，产生的压应力可以抵消原有拉应力，以抑制裂纹扩展，从而降低碳化硅晶锭激光切割的损耗。
4月29日消息，国家知识产权局信息显示，晶盛机电和宁夏创盛新材料科技共同申请了“石墨坩埚及其制备方法与应用”专利(CN119874408A)。该专利涉及一种石墨坩埚的制备方法，通过控制碳源、一元醇和水的比例以及加热温度，制备的石墨坩埚在合成碳化硅粉体时，可以有效隔离石墨坩埚和碳化硅粉体，防止二者粘连。
4、宁德时代：研发新型硅碳复合材料
近期，宁德时代申请了一项关于硅碳材料及其制备方法与二次电池及用电装置的专利（公开号CN119833588A）。该专利公开了一种新型硅碳复合材料，其特征在于包含具有贯通孔的多孔碳材料，位于贯通孔内的纳米硅晶粒，以及部分位于贯通孔壁且尺寸不小于多孔碳材料平均孔径的碳化硅材料层。该硅碳材料旨在作为二次电池负极活性材料，以改善电池的循环性能。
5、圣艾克半导体：研制高效研磨设备
4月24日，圣艾克半导体（苏州）有限公司获得了一项名为“一种碳化硅研磨设备”的专利。该专利提供了一种高效、精确的研磨设备，能够有效提高碳化硅材料的加工精度和表面质量。该技术对于碳化硅衬底的后续加工和器件制造具有重要意义，有助于提升碳化硅器件的整体性能和可靠性。
6、泰科天润：优化碳化硅VDMOS结构
4月16日，国家知识产权局披露，泰科天润获得名为“一种抑制双极退化的沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法”（专利号CN119403163B）的专利授权。该专利专注于提升平面栅碳化硅VDMOS器件的可靠性，尤其针对栅极可靠性和体二极管性能进行了优化。通过特定的衬底处理、外延生长以及多层阻挡层的运用和刻蚀、离子注入等工艺，该方法旨在改善器件的续流损耗和反向恢复速度，从而提高整体性能。
7、斯达半导：创新双工作模式SiC功率器件
4月18日，斯达半导获得一项关于双工作模式碳化硅功率器件结构及其制作方法的发明专利授权。该专利的核心在于设计了一种能够同时以双极型（Bipolar）和金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）两种模式工作的碳化硅功率器件。值得一提的是，该器件的制造工艺与标准的碳化硅MOSFET流程基本兼容，无需增加额外的复杂步骤。通过这种巧妙的结构设计，斯达半导的这项技术旨在使功率器件能够在不同的应用场景下灵活切换工作模式，从而兼具双极型器件的低导通损耗和MOSFET器件的高开关速度优势，最终提升整体的功率转换效率和系统性能。
8、重庆青山：集成SBD于SiCMOSFET元胞
近期，重庆青山工业有限责任公司公开了一项名为“一种集成SBD碳化硅MOSFET元胞结构及制备方法”的专利（公开号CN119967866A）。该发明通过在碳化硅MOSFET元胞结构中集成肖特基势垒二极管（SBD），并在不增加元胞尺寸的前提下进行结构优化，实现了更高的芯片沟道密度和更小的导通电阻，从而降低导通损耗，并在保证较低续流电压的同时提高了芯片的导通效率
（集邦化合物半导体 王奇 整理）
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