作为第三代半导体材料的代表，氮化镓（GaN）正以高电子迁移率、高耐压、低损耗等特性，成为人形机器人核心部件升级的关键推手。近期，国内公司传出相关新动态。
5月17日，中科阿尔法科技有限公司发布了一款基于氮化镓（GaN）驱动的机器人关节模组（型号：ZK-RI 0–PRO–B），具有250Hz高频神经反射与5ms全链路时延，峰值扭矩<18Nm和长时间持续工作低温升特点，适用于工业机器人、具身机器人及特种宽温机器人设备等智能传动领域。
source：中科阿尔法
据介绍，该模组内置中科无线半导体自研AI ASIC动力系统芯片阵列GaN HEMT器件，可实现开关频率2MHz以上99.2%能量转换效率，同时支持10ns级快速开关特性，与传统Si基MOS管方案相比提升40%。
同时，上述模组独创即时通信接口，兼容15-60V宽压输入，采用自研曼彻斯特编码即时通信接口(可选配 CAN/485)，并行通信全链路时延低于5ms，满足ISO 13849-1 PLd级安全通信要求及“3D物理大模型”控制。
对于氮化镓在人形机器人领域的应用，业界指出，尽管氮化镓已展现出颠覆性潜力，但其大规模商用仍需跨越成本与可靠性门槛。当前，单台人形机器人需使用200余颗氮化镓器件，导致BOM成本增加15%。不过，随着技术瓶颈的逐个突破，一个由氮化镓驱动的机器人时代，或许比我们想象的更早到来。
（集邦化合物半导体整理）
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