近期，山西省科学技术厅发布重要通知，经省科技厅第13次党组（扩大）会议审议通过，同意7项省科技重大专项计划“揭榜挂帅”（半导体与新材料领域）项目延期至2025年12月。
图片来源：山西省科学技术厅通知截图
此次延期的7个项目主要是半导体与新材料领域，包含三个碳化硅领域项目，分别是：
1、大尺寸4H-SiC单晶衬底材料制备产业化技术研发项目，由山西烁科晶体有限公司发起需求，河北普兴电子科技股份有限公司揭榜，项目总经费4000万元。
2、8英寸SiC单晶生长设备研发项目由山西烁科晶体有限公司发起需求，中国电子科技集团公司第二研究所揭榜，致力于研发8英寸SiC单晶生长设备，项目总经费3000万元。
3、SiC晶体激光诱导剥离工艺与装备研发项目，由中国电子科技集团公司第二研究所发起需求，河北同光半导体股份有限公司揭榜，项目总经费5000万元。
业界指出，“揭榜挂帅”项目获延期攻关这一举措旨在给予科研团队更充足的时间，全力攻克关键核心技术，推动山西在半导体与新材料领域实现技术飞跃，助力产业升级。
在“双碳”目标与半导体产业自主化的双重背景下，碳化硅作为第三代半导体材料的核心代表，正成为全球科技竞争的焦点。山西作为我国传统能源大省，凭借资源禀赋与战略眼光，在碳化硅领域展开深度布局。
《山西省“十四五”新材料规划》明确提出将碳化硅列为半导体材料领域的核心发展方向，提出打造500亿级半导体材料产业集群的目标。规划提出“三个倍增”计划，通过技术创新、企业培育和集群化发展，推动碳化硅材料在新能源汽车、5G通信、智能电网等领域的规模化应用。
政策利好推动之下，山西碳化硅产业快速发展，并涌现多家代表性厂商。
√ 山西烁科晶体有限公司构建了从碳化硅粉料制备、单晶生长到晶片加工的全流程生产线，率先突破4英寸、6英寸及8英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底技术，打破了国外技术垄断。
√ 山西中电科公司 聚焦碳化硅材料应用的关键装备研发，其自主研发的碳化硅化学气相沉积（CVD）装备技术指标行业领先。
√ 山西天成半导体材料有限公司 注于6/8英寸碳化硅衬底材料及晶体生长装备的研发。公司突破缺陷抑制、快速生长等关键技术，形成自主知识产权体系，产品性能达国内先进水平。
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从传统能源到战略新兴产业，山西正以碳化硅为支点，撬动半导体产业链的自主可控。未来，随着8英寸及以上碳化硅材料的产业化加速，山西有望在全球第三代半导体竞争中占据先机，为“中国芯”注入山西力量。
（集邦化合物半导体 秦妍 整理）
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