近期，士兰微在公司治理与产业布局上均有重要动态。在独立董事何乐年提交辞职报告，公司董事会将迎来新老交替之际，士兰微同步强化了其在半导体制造领域的实力，全资子公司厦门士兰集华微电子有限公司正式成立，旨在进一步巩固公司在#集成电路芯片 及#器件制造 方面的核心竞争力。
公司治理与组织架构优化
士兰微的董事会近期迎来调整。在6月25日，公司发布公告称，独立董事何乐年先生因连续任职已满六年而提交辞职报告。根据规定，其辞职将在公司股东大会选出新任独立董事后生效，在此期间何乐年先生会继续履行职责，确保董事会人数符合法规要求。
与此同时，士兰微积极拓展其半导体制造版图。近期，厦门士兰集华微电子有限公司正式成立，注册资本1000万元。这家由士兰微全资持股的新公司，经营范围涵盖集成电路芯片及产品制造、集成电路制造、半导体分立器件制造以及半导体器件专用设备销售等，此举无疑将进一步强化士兰微在半导体制造领域的垂直整合能力。
图片来源：企查查截图
8英寸SiC产线实现通线，6英寸SiC产线产能持续释放
据悉，士兰微在碳化硅（SiC）领域已构建起涵盖从衬底、外延到芯片制造、器件封装以及模块应用的全方位产业链，形成了以厦门为核心基地的产业集群。
截至目前，由士兰微全资子公司厦门#士兰集宏 半导体有限公司主导的8英寸SiC mini line已成功实现通线。该项目总投资120亿元人民币，其中一期投资70亿元，预计在2025年第四季度实现全面通线并试生产，目标年产2万片。士兰集宏主厂房及其他建筑物已全面封顶，正进行净化装修，计划达产后可满足国内40%以上的车规级SiC芯片需求。
图片来源：士兰微
技术进展上，士兰微Ⅱ代SiC芯片已在8英寸mini line上成功试流片，其性能参数与6英寸产品匹配，良品率显著优于6英寸产品。
而由士兰明镓负责的6英寸SiC功率器件芯片生产线已形成月产9,000片6英寸SiC MOS芯片的生产能力。
值得注意的是，目前基于士兰微自主研发的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块，已在4家国内汽车厂家累计出货量达5万只，实现了大批量生产和交付。
士兰微已完成第Ⅳ代平面栅SiC-MOSFET技术开发，其性能指标已接近沟槽栅SiC器件水平，相关芯片与模块已送客户进行评测，预计基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模块将于2025年上量。
公司计划于2027年推出沟槽栅碳化硅芯片，进一步丰富其碳化硅产品线，以满足新能源汽车等领域对高性能SiC器件日益增长的需求。
根据士兰微今年第一季度财报披露，公司实现营收30.00亿元，同比增长21.70%。扣非净利润1.45亿元，同比小幅增长8.96%。士兰微2025年第一季度净利润8,953.23万元，业绩扭亏为盈。这表明公司在市场竞争激烈的背景下，通过产品结构优化和成本控制，实现了盈利能力的显著提升。
（集邦化合物半导体 竹子 整理）
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