江苏超芯星半导体有限公司（Hypersics Co.,Ltd）近日宣布成功推出新一代8mΩ·cm低阻碳化硅（SiC）衬底。该产品凭借零TSD缺陷和极低的BPD密度（53个/cm²）的卓越晶质，为下游客户带来了显著的四大核心变革。
图片来源：超芯星官微截图
据悉，超芯星此次推出新一代8mΩ·cm低阻碳化硅（SiC）衬底导通损耗大幅降低，系统效率显著提升；运行温度显著下降，可靠性增强，功率密度再突破；开关性能明显优化，响应更快、损耗更低；整体成本更具竞争力，为产品升级预留更大空间。
公开资料显示，超芯星成立于2019年4月，专注于碳化硅（SiC）衬底全产业链的研发与生产，覆盖设备、粉料、晶体生长、晶体加工及晶片检测全流程。近期，超芯星完成了数亿元C轮融资，进一步巩固了其在行业内的领先地位。
目前，超芯星已实现6英寸车规级碳化硅衬底的量产出货，并与国内知名下游客户签订了8英寸碳化硅深度战略合作协议。
超芯星半导体创始人兼董事长刘欣宇曾表示，公司将加大在碳化硅材料研发方面的投入，进一步提升产品的性能和质量，拓展应用领域。同时，公司也将积极与国内外科研机构、高校和企业开展合作，共同推动碳化硅材料技术的不断创新和进步，助力全球半导体产业的可持续发展。
（集邦化合物半导体整理）
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