随着第三代半导体技术的快速迭代，氮化镓（GaN）凭借高功率密度、低能耗、耐高温等核心优势，已成为消费电子、新能源、工业控制等领域技术升级的关键支撑。近期，全球多家半导体及能源科技企业集中发力，推出多款基于氮化镓技术的创新产品。
安费诺推出高效氮化镓微型逆变器，开辟商用市场新机遇
安费诺能源（Enphase Energy）近日在加州发布了其最新的三相微型逆变器IQ9N-3P，专为商用光伏项目设计。这款逆变器首次引入氮化镓（GaN）技术，氮化镓是一种高效能半导体材料，有助于提升转换效率和降低功率损耗，具有97.5%的转换效率。
据了解，IQ9N-3P适用于480伏的商用项目，能够承受16安培的直流持续电流，峰值输出功率可达427伏安，支持高达600瓦的组件。安费诺表示，该产品不仅适合100千瓦以下的小型商用系统，还能扩展至数百千瓦的大型系统，具备灵活性，未来扩容时无需重新设计。
公开资料显示，安费诺能源（Enphase Energy）成立于2006年，2012年在纳斯达克上市，总部位于加利福尼亚州弗里蒙特，主要产品包括太阳能微逆变器、电池储能系统和电动汽车充电站。
氮矽科技推出TOLL封装的增强型硅基氮化镓（GaN）晶体管
近日，氮矽科技官微宣布，推出TOLL封装的增强型硅基氮化镓（GaN）晶体管。
图片来源：氮矽科技
据介绍，DX65TA030是一款650V, 30mΩ增强型硅基氮化镓（GaN）晶体管，采用TOLL封装与宽禁带技术，实现高功率密度。具备开尔文连接，抗干扰能力强，符合工业标准，具备高可靠性，是高性能电力电子应用的优选方案。
氮矽科技成立于2019年，是一家专注于氮化镓功率半导体研发与产业化的高新技术企业。公司拥有 “E-mode GaN HEMT、GaN Driver、GaN PIIP®（Power integrated in package）和PWM GaN”四大产品线，其产品广泛应用于消费电子、工业市场、新能源汽车、航空航天等领域。
瑞萨发布用于功率转换的650V GaN FET
瑞萨电子推出3款新型高压650V GaN FET，分别为TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS。
图片来源：Renesas瑞萨电子
这三款产品基于第四代增强型SuperGaN®平台，该平台采用经实际应用验证的耗尽型（d-mode）常关断架构，由Transphorm公司首创，瑞萨电子于2024年6月收购了该公司。与硅基、碳化硅（SiC）和其它GaN产品相比，基于低损耗耗尽型技术的产品具有更高的效率。
这些第四代增强型（Gen IV Plus）器件专为多千瓦级应用而设计，将高效GaN技术与硅兼容栅极驱动输入相结合，在保留硅FET操作简便性的同时，显著降低了开关功率损耗。
新产品适用于人工智能（AI）数据中心和服务器电源（包括新型800V高压直流架构）、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电池储能和太阳能逆变器等领域。此外，在工业电机驱动领域，也能提供高可靠性、高效率的功率转换，支持设备小型化与能效升级。
（集邦化合物半导体 金水 整理）
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