2月4日，据科技日报报道，近日，由电科装备下属北京中电科公司自主研制的国内首台套12英寸碳化硅晶锭减薄设备、衬底减薄设备成功发货，顺利交付行业龙头企业。
图片来源：电科装备
碳化硅作为第三代半导体核心材料，凭借高禁带宽度、高热导率、高耐压性等优势，广泛应用于新能源汽车、光伏储能、智能电网、AI基础设施等多个高景气赛道，而12英寸衬底相较于8英寸产品，单片晶圆芯片产出量可提升2.5倍，能显著降低单位制造成本，是推动碳化硅产业规模化应用的关键方向。
由于碳化硅材料硬度仅次于钻石且脆性大，12英寸规格的晶锭、衬底减薄对设备的加工精度、稳定性和工艺适配性提出了远超8英寸工艺的极限要求，此前该领域核心设备长期依赖进口，单台设备价格高。
此次电科装备交付的两款设备，针对性攻克了上述产业痛点，实现多项关键技术突破。
其中，晶锭减薄机创新采用自动化抓取与吸附双模式搬送系统，可确保大尺寸晶锭的稳定高效传输，大幅缩短加工周期，适配规模化量产需求。
衬底减薄机则集成自主研发的超精密空气主轴与气浮承片台等关键轴系，将晶圆片内厚度偏差稳定控制在1微米以内，达到国际先进水平。
值得关注的是，两款设备均为全自动机型，可满足大尺寸产线无人化、智能化生产需求，与电科装备自研的激光剥离设备协同使用后，还能将材料损耗降低30%以上，为下游企业大幅节省生产成本。
1、国内12英寸碳化硅设备多点突破
随着12英寸碳化硅产业价值日益凸显，国内企业加速布局核心设备研发与量产，目前已有多家核心企业实现技术突破并推进产业化落地。
在长晶设备领域则有晶升股份、晶驰机电、山东力冠等企业。
2025年12月29日，晶升股份宣布其自主研发的12英寸碳化硅单晶炉已完成小批量发货，正式交付国内头部客户投入应用。
晶驰机电重点布局电阻法12英寸晶体生长设备开发，已交付首台（套）设备，为12英寸碳化硅长晶提供PVT技术新路径，优化了高温真空环境下的温场与气流场稳定性，有效提升晶体生长质量，后续将推进设备批量交付与技术迭代。
山东力冠攻克12英寸PVT电阻加热长晶炉核心技术，优化高温真空环境下温场与气流场稳定性，解决大尺寸晶体生长中热梯度复杂、内应力增加的问题。首批两台设备已完成交付，进入产业化推进阶段。
在外延及综合加工设备领域，有晶盛机电、微导纳米等代表厂商。
晶盛机电近期在12英寸碳化硅设备领域多点突破，动态成果显著。2025年9月26日，公司首条12英寸碳化硅衬底加工中试线成功贯通，加工、检测全环节设备实现100%国产化，构建起“装备-材料”闭环体系，彻底解决关键装备依赖进口的难题。
2025年12月，其12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付全球头部SiC外延晶片生产商瀚天天成，有力推动碳化硅产业链向大尺寸、高效率、低成本方向演进。
在切割与剥离设备领域，则有天晶智能、西湖仪器、晟光硅研、晶飞半导体等企业。
天晶智能推出TJ320型超高速多线切割机，可适配12英寸晶锭切割需求，单台年产能达20万片。根据公开信息，目前天晶智能淮安生产基地年产能已达880台，二期工程将于2026年投产，将进一步扩大产能以满足市场需求。
西湖仪器在2025年实现12英寸衬底激光剥离技术突破，为大尺寸碳化硅薄片化、异构集成提供关键技术支撑，解决了传统剥离工艺损伤衬底的痛点，目前技术已完成实验室验证。
2、结语
多家企业的技术攻坚与产业化落地，不仅降低了下游产业的生产成本，更夯实了我国第三代半导体产业的核心竞争力，为新能源、AI等高景气赛道的高质量发展注入强劲动力。
未来，随着设备技术的持续迭代与产能释放，我国有望在全球12英寸碳化硅产业竞争中占据主动，推动半导体产业实现自主可控的跨越式发展。
（集邦化合物半导体 金水 整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。