近日，全球增强型氮化镓（eGaN）功率器件企业宜普电源转换公司（EPC）宣布，已与瑞萨电子（Renesas）签署一项全面的技术许可及第二来源（Second Sourcing）合作协议。
根据该协议，瑞萨将获得EPC经市场验证的低压eGaN技术及其成熟供应链生态系统的使用权，旨在通过全球联盟形式加速高性能氮化镓（GaN）解决方案在各行业的普及。
此次合作的核心在于技术的深度整合与供应保障。在未来的一年内，两家公司将紧密协作，在瑞萨内部建立针对低压GaN产品的晶圆制造能力。与此同时，瑞萨将作为EPC几款热门量产元件的合格第二供应商，这不仅增强了全球客户的供应链韧性，也为市场提供了更具保障的供货选择。相比传统硅基材料，GaN电晶体具备更高的转换效率、更快的切换速度及更小的封装尺寸，正在深刻重塑从消费电子到人工智能（AI）数据中心的电源转换架构。
官方新闻稿指出，此次合作是瑞萨电子完善其功率半导体版图的关键举措。继近期完成对Transphorm的收购（主攻650V以上高压领域）后，引入EPC的低压eGaN专业技术使瑞萨能够提供涵盖1V至650V+全谱系的GaN功率组合。瑞萨电子副总裁Rohan Samsi表示，该协议使瑞萨能够捕捉高速增长的电源市场，特别是针对从48V降至1V的AI电源架构、用户端运算及电池供电应用。
EPC首席执行官Alex Lidow强调，双方联手构建的这一全球联盟，将通过提供最先进的能效方案来显著降低AI数据中心的运营成本，并强化自主系统的性能表现。面对硅材料物理极限对系统微型化的束缚，这一战略联盟被视为推动半导体行业步入“氮化镓革命”新阶段的重要里程碑，将为追求高功率密度与低碳足迹的电子设计人员提供强大的技术支撑。
（集邦化合物半导体整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。