近期，芬兰半导体激光技术开发商Vexlum正式宣布完成总额为1000万欧元（约合1100万美元）的综合融资。这笔资金将专门用于扩大其在芬兰的专有半导体芯片制造业务及激光技术规模。
根据Vexlum发布的官方新闻稿及芬兰政府投资机构Tesi的联合声明，本次融资结构包含了股权投资、政府赠款与商业贷款。其中，600万欧元的股权融资由专注于工业技术的风投机构Kvanted领投，Tesi协同欧洲创新理事会基金（EICFund）参与跟投。
此外，欧洲创新理事会通过其EICAccelerator项目向公司提供了240万欧元的研发赠款，剩余160万欧元则由北欧银行（Nordea）以商业贷款形式提供。
Vexlum的核心竞争力在于其专有的垂直外腔面发射激光器（VECSEL）技术，该技术充分利用了包括砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）在内的III-V族化合物半导体材料。官方报道强调，这种激光器兼具半导体技术的紧凑性与固体激光器的高光束质量。
在当前蓬勃发展的量子计算领域，特别是基于离子阱和中性原子路线的研究，极度依赖于Vexlum所能提供的高功率且特定波长的精准相干光源。
Vexlum联合创始人兼首席执行官Jussi-PekkaPenttinen在声明中指出，建立稳健且具备规模化能力的半导体制造基础设施对于支持量子计算和深空通信等前沿领域的演进至关重要。
与多数依赖外部代工厂的半导体初创公司不同，Vexlum在战略上采取了高度的“垂直整合”模式。官方通稿披露，公司在芬兰坦佩雷的新工厂将涵盖从化合物半导体外延生长、清洁室芯片加工到最终激光系统集成的全流程。
领投方Kvanted创始合伙人AxelAhlström表示，Vexlum的价值不仅在于其激光器产品，更在于其掌握了制造高功率精密芯片的核心工业能力。
通过此轮融资，Vexlum计划显著提升其芯片制造产能，并制定了在2030年实现1亿欧元年收入的战略目标，旨在巩固芬兰在全球先进半导体和光子学产业链中的重要地位。
（集邦化合物半导体整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。