近日，国产设备商中微精仪宣布，已率先实现8英寸碳化硅激光剥离量产总损耗迈入40μm时代，打破行业长期以来60–80μm的损耗瓶颈，为国产大尺寸SiC产业化提供关键技术支撑。
图片来源：中微精仪
当前，碳化硅应用从新能源汽车、储能向先进封装、射频通信等高端领域延伸，8英寸凭借产能与成本优势成为企业扩产主流方向。但碳化硅硬度趋近金刚石，属硬脆性难加工材料，传统线切割损耗高达250μm左右，且易产生微裂纹，效率低、耗材成本高。即便激光剥离逐步替代传统工艺，业内多数设备仍因光路精度不足、能量控制不均等问题，难以突破60μm损耗关口，无法满足车规级、先进封装的高标准需求。
针对行业痛点，中微精仪深耕激光加工核心技术，完成设备架构、光路调控、工艺算法全链路迭代。通过自研光源、精密光路设计及热效应抑制算法，精准控制激光能量作用深度与加工范围，抑制材料损伤，最终实现8英寸SiC量产总损耗稳定≤40μm，较行业主流水平降低30%以上，较传统线切割降幅达80%。
在量产价值上，该技术可让400μm晶锭稳定产出350μm合格衬底片，无耗材、无化学试剂的绿色加工模式，既规避二次污染，又大幅提升晶锭出片量。同时，设备单片剥离时长＜15分钟，加工效率较传统工艺提升20–30倍，支持24小时不间断量产，良率稳定，已通过多家头部SiC企业现场验证与小批量导入。
从行业格局看，此次40μm级技术突破，是国产SiC激光剥离装备从跟跑到领跑的关键跨越。随着第三代半导体高端需求扩容，工艺精细化、成本极致化将成核心壁垒。中微精仪表示，未来将持续迭代8寸、12寸量产技术，以自主可控装备助力国内碳化硅产业降本增效、高端突围。
（集邦化合物半导体整理）
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