2026年以来，全球化合物半导体产业进入新一轮扩张周期，中国企业在政策与市场双轮驱动下加速资本化进程。
5月11日，株洲科能新材料股份有限公司（简称“株洲科能”）科创板IPO申请获上海证券交易所受理，成为2026年以来第7家获受理的科创板IPO项目。
与此同时，如臻宝科技、度亘核芯等多家涉及化合物半导体及第三代半导体的企业密集推进上市，资本市场热度持续攀升，国产替代进程持续加速。
1、株洲科能二次冲板，拟募资5.6亿元
据上交所披露的招股书申报稿，株洲科能本次IPO保荐机构为申港证券，拟募集资金5.6亿元，主要投向年产500吨半导体高纯材料及回收项目、稀散金属先进材料研发中心建设，剩余资金用于补充流动资金，聚焦化合物半导体以及ITO、IGZO等靶材合成所需的核心关键基础材料的研发与生产。
图片来源：上交所信息截图
公开信息显示，株洲科能专注于稀散金属高纯材料领域，核心产品包括高纯镓、高纯铟、氧化铟、氧化镓等，这些材料是制备磷化铟、砷化镓、氮化镓等化合物半导体的关键原材料，终端应用覆盖5G/6G通信、AI算力、新型显示、新能源汽车等高端领域。
财务数据显示，公司近年营收持续高速增长，2023年至2025年，营业收入分别为6.09亿元、7.87亿元、10.27亿元，三年复合增长率超30%，强劲的增长势头印证了下游化合物半导体及先进显示产业的旺盛需求。
此次为株洲科能第二次冲击科创板。公司曾于2023年6月首次获上交所受理，后于2025年10月主动撤回申请；2025年11月完成辅导备案，2026年5月再度申报。
2、全链条IPO密集推进，SiC/GaN成焦点
株洲科能的IPO并非个例，2026年以来，国内化合物半导体及第三代半导体领域至少10家企业冲刺IPO，其中碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）成为资本关注的核心焦点。
在碳化硅领域，4月17日，中国证监会官网正式发布批复文件，同意重庆臻宝科技股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市的注册申请。
图片来源：中国证监会官网文件截图
资料显示，臻宝科技成立于2016年，公司主营产品覆盖硅基、石英、碳化硅、氧化铝陶瓷等多品类半导体设备核心零部件。财报数据显示，2023年至2025年公司经营业绩持续走高，期间营业收入分别达到5.06亿元、6.35亿元、8.68亿元，归母净利润依次为1.09亿元、1.52亿元、2.26亿元。
3月30日，碳化硅外延企业瀚天天成正式在香港联合交易所主板挂牌上市，成为港股市场又一家聚焦第三代半导体领域的企业。
图片来源：瀚天天成
在去年12月，瀚天天成正式宣布推出全球首款12英寸高质量碳化硅外延晶片，这是其在SiC外延领域的重要技术突破。该产品关键性能表现优异，外延层厚度不均匀性控制在3%以内，掺杂浓度不均匀性≤8%，2mm×2mm芯片良率超96%，可充分满足下游功率器件领域的高可靠性应用需求。
氮化镓领域同样动作频频。
5月8日，证监会官网IPO辅导公示系统显示，度亘核芯与辅导券商国泰海通一同向江苏证监局提交《辅导工作完成报告》，辅导状态更新为“辅导验收”，标志着其历时一年多的上市辅导工作基本完成，即将进入正式IPO申报流程。
图片来源：证监会官网公示截图
度亘核芯聚焦高功率GaN激光器与VCSEL领域，拥有覆盖化合物半导体激光器芯片设计、外延生长、器件工艺、芯片封装、测试表征、可靠性验证以及功能模块等全套工程技术能力和量产制造能力。
此外，芯迈半导体（功率半导体）推进港股IPO，募资将用于PMIC芯片研发与车规级产线升级，投资方涵盖大基金二期、小米、宁德时代等知名产业资本，彰显产业资本对氮化镓赛道的高度认可。
除上述外，化合物半导体设备与封测领域也迎来上市热潮。
4月21日，盛合晶微（先进封测）正式登陆科创板，填补国内化合物半导体先进封测领域上市企业空白；4月24日，联讯仪器（测试设备）在科创板上市，其自主研发的化合物半导体测试设备可广泛应用于GaN、SiC芯片测试场景。
3、结语
本轮化合物半导体IPO热潮背后，是清晰的产业逻辑支撑。
一方面，AI服务器、高速光模块、新能源汽车快充、6G基站建设等下游领域需求爆发，带动化合物半导体需求持续增长；
另一方面，国家政策强力支撑，“十四五”规划重点支持第三代半导体材料与器件，大基金二期重点投向高纯材料、外延片等上游环节，助力降低对海外供应链的依赖。
同时，国内企业在高纯镓/铟提纯、SiC外延、GaN芯片设计等领域实现技术突破，逐步具备与海外巨头竞争的实力，为资本化进程奠定基础。
（集邦化合物半导体整理）
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