6月23日，芯联集成发布对外投资进展公告。近日，公司与芯联先进集成电路制造（绍兴）有限公司（简称“芯联先进”）、绍兴柯桥芯合先进集成创业投资基金合伙企业（有限合伙）（简称“产业基金”）共同签署《关于芯联先进集成电路制造（绍兴）有限公司之增资及股东协议》（简称《增资及股东协议》）。
图片来源：芯联集成公告截图
根据《增资及股东协议》，产业基金拟向芯联先进增资20.04亿元，认购其新增注册资本20.04亿元；芯联集成拟向芯联先进增资6.62亿元，认购新增注册资本6.62亿元。本次增资完成后，产业基金、芯联集成分别持有芯联先进74.9%和25.1%的股权。
具体来看，芯联集成于6月11日披露，公司与#芯联先进、#浙江绍兴杭绍临空示范区产业发展集团有限公司（简称“杭绍临空”）于6月9日签署《合资框架协议》，各方合资经营芯联先进，作为芯联12英寸车规级数模混合芯片制造项目（简称“四期项目”）的实施主体。
根据公告，芯联先进将建设一条5万片/月的12英寸集成电路车规级数模混合芯片生产线，主要技术和产品方向为40/28纳米MCU/DSP、90/55纳米BCD/DrMOS等模拟电路、55纳米硅光/激光驱动等芯片。
四期项目计划总投资约200亿元，其中资本金120亿元（芯联集成拟出资30.12亿元，杭绍临空及其他联合体拟出资30亿元，其他市场化资金拟出资59.88亿元），银行贷款80亿元。
芯联集成表示，本次投资事项如顺利实施，有利于加快完善公司在高端模拟集成电路芯片领域的战略布局，增强核心竞争力；有利于抓住当前AI算力服务器、新能源汽车、机器人、光互联等新兴产业的发展契机，推动公司主营业务持续成长。
此外，6月22日，芯联集成宣布，他们依托自研8英寸碳化硅（SiC）工艺平台，公司正式推出3300V SiC MOSFET器件。该产品面向固态变压器（SST）等高压、高功率密度、高可靠性应用场景深度定制，目前已向核心客户送样验证。
据介绍，芯联集成的3300V SiC器件采用高压平面栅SiC MOSFET技术，以更小的单元面积和更优的导通电阻-栅电荷优值（RDS(on)×QG），实现了卓越的导通与开关性能。
以10kV中压固态变压器前端为例，相比1200V方案，3300V器件优势：
① 母线电压升至1800~2200V，级联数减60%；
② 功率单元及MOSFET总量减60%，外围器件减70%，PCB大幅简化；
③ 控制与装配成本降低。综合BOM成本降20%~35%，支撑SST高频、小型化、高效演进。
综合来看，3300V方案可实现系统级BOM成本降低20%~35%，为固态变压器向更高开关频率、更小体积和更高转换效率演进提供核心器件支撑。
为进一步补强固态变压器供应链，公司也将推出适配3300V SiC MOSFET的高频高耐压高功率密度磁性器件。
（集邦化合物半导体整理）
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