7月15日，韩国媒体《首尔新闻》报道，韩国功率半导体设计企业RootSemicon与碳化硅专业晶圆制造商SK Powertec联合研发的1200V/11mΩ大尺寸SiC MOSFET取得关键进展，芯片首轮工程流片平均良率达到80%。
双方于今年4月正式签署SiC MOSFET晶圆代工产品开发协议，启动联合研发项目；5月完成这款高压碳化硅器件首次流片（Tape Out），6月29日实现晶圆下线（Fab Out），随后顺利完成首轮工程批次性能与良率验证。业内普遍认为，大尺寸高压SiC MOSFET制造工艺难度较高，项目在开发初期便实现80%平均良率，印证芯片设计方案与代工制造工艺具备较高成熟度。
公开资料显示，RootSemicon专注碳化硅功率半导体芯片设计，持续布局高压SiC器件研发；SK Powertec是韩国本土具备SiC器件量产能力的专业晶圆代工厂。本次合作整合双方设计与制造优势，意在搭建韩国本土高性能碳化硅器件开发链条，降低当地产业对海外晶圆代工渠道的依赖，推进SiC功率器件本土化发展。
该款1200V SiC MOSFET面向800V平台电动汽车车载电驱系统、储能变流器、大功率工业电源、直流快充桩等主流场景。相较于传统硅基功率器件，碳化硅器件具备低开关损耗、耐高温、高功率密度等优势，是新能源产业升级的核心元器件。
按照现有规划，两家企业后续将持续开展器件长期可靠性测试，持续优化工艺进一步抬升良率，并稳步推进样品送样与商业化筹备工作。依托本次研发成果，双方后续计划拓展更多规格碳化硅功率器件，持续完善本土SiC产品矩阵。
（集邦化合物半导体整理）
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