5月16日,捷捷微电8英寸功率半导体器件芯片项目和通富微电先进封装项目签约落户苏锡通科技产业园区。据悉,通富微电与捷捷微电已在园区完成累计总投资近150亿元。
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项目方面,捷捷微电另外一个功率器件项目近期也传出新进展。上个月据爱启东消息,捷捷微电功率半导体“车规级”封测产业化建设项目厂房已封顶,正在进行玻璃幕墙施工。
据悉,捷捷微电功率半导体“车规级”封测项目于2023年初开工,建设期在2年左右。该项目总投资为133395.95万元,总建筑面积16.2万平方米,拟投入募集资金119500万元,主要从事车规级大功率器件的研发、生产及销售,建设完成后可达年产1900kk车规级大功率器件DFN系列产品、120kk车规级大功率器件TOLL系列产品、90kk车规级大功率器件LFPACK系列产品以及60kkWCSP电源器件产品的生产能力。
捷捷微电是集功率半导体器件、功率集成电路、新型元件的芯片研发和制造、器件研发和封测、芯片及器件销售和服务为一体的功率(电力)半导体器件制造商和品牌运营商,其在研产品涵盖SiC、GaN功率器件。
捷捷微电近日在投资者调研活动中透露,其与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件,截至2024年第一季度末,其拥有SiC和GaN相关实用新型专利6件,发明专利1件;此外,捷捷微电还有10个发明专利尚在申请受理中。其目前有少量SiC器件的封测,该系列产品仍在持续研究推进过程中,尚未进入量产阶段。(集邦化合物半导体Zac整理)
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