近日，据企查查显示，镓创未来半导体科技（晋江）有限公司（以下简称“镓创未来”）完成千万级天使轮融资，投资方包括聚卓资本——-晋江人才科创基金、芯丰泽半导体和个人投资者，所融资金将主要用于提升外延片产能，加速第四代半导体材料的产业化进程。
图片来源：企查查
公开资料，镓创未来是一家专注于第四代超宽禁带半导体材料研发与产业化的高科技企业，成立于2025年，创始团队由西安电子科技大学博士团队组建而成，核心成员均拥有十年以上氧化镓/碳化硅材料研究或产业经验，技术依托于西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室和宽禁带半导体国家工程研究中心。
镓创未来专注于氧化镓外延片的研发与产业化，核心产品是氧化镓外延片系列，包括氧化镓同质外延片以及异质外延片产品线，涵盖蓝宝石基、碳化硅基和硅基氧化镓外延片，可以满足不同应用场景的需求。
氧化镓技术突破提速，产业多点开花
第四代半导体是继第一代硅基、第二代化合物半导体、第三代宽禁带半导体之后，面向极端环境与超高能效需求的新型半导体材料体系，主要包括氧化镓（Ga₂O₃）、金刚石（C）、氮化铝（AlN）等。
当前，第四代半导体目前正逐步从实验室走向产业化验证阶段，但仍面临一些挑战，如材料制备难度大、成本极高、产业链不完善等。不过，随着技术的不断进步，一些企业和研究机构在氧化镓单晶制备等方面已取得了一定的突破。
例如今年3月，杭州镓仁半导体有限公司（Garen Semi）发布了全球首颗8英寸（200mm）氧化镓单晶，并实现了量产工艺。镓仁半导体采用自主研发的铸造法，显著降低了铱金属的使用量，提升了晶体生长的稳定性和成本效益。该工艺已实现全自动化生产，并通过XRD、载流子浓度、电阻率等指标验证了单晶质量。
图片来源：镓仁半导体 图为镓仁半导体8英寸氧化镓单晶
资料显示，镓仁半导体成立于2022年9月，创始团队来自浙江大学，项目最早源自浙江大学硅材料国家重点实验室的研究，随后在杭州科技园孵化并快速推进产业化。
此外，杭州富加镓业科技有限公司已实现4英寸VB法氧化镓衬底的国际先进水平。其采用垂直布里奇曼（VB）法进行氧化镓晶体生长。该方法通过在垂直方向上形成稳定的热场，实现了大尺寸单晶的均匀生长，克服了传统EFG法在大晶直径上易出现的晶格缺陷和厚度不均问题。
资料显示，#杭州富加镓业 成立于2019年，是杭州光学精密机械研究所（杭州光机所）孵化的首家“硬科技”企业，专注于宽禁带半导体材料——氧化镓的研发、生产和销售，核心产品涵盖氧化镓单晶衬底、MOCVD与MBE同质外延片、以及氧化镓晶体生长与加工装备，广泛服务于功率器件、微波射频和紫外光电探测等领域。
（集邦化合物半导体 金水 整理）
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