2026年5月8日，美国国际贸易委员会（ITC）对第337-TA-1414号调查案作出最终裁定，认定英诺赛科（Innoscience）当前生产的氮化镓（GaN）功率器件产品未侵犯英飞凌（Infineon）的相关专利。英诺赛科因此可继续在美国市场进口和销售其现有产品，不受相关禁令限制。
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ITC全体委员一致确认，英诺赛科现有产品未侵犯英飞凌美国第9,070,755号专利（涉及电极设计）及第9,899,481号专利（涉及封装设计）。委员会同时认定，第9,899,481号专利中的两项权利要求有效，且仅被英诺赛科已停止生产和销售的历史产品所侵犯。由于相关历史产品已不再供应，ITC发布的进口和销售禁令对英诺赛科目前的在美业务不构成实质性影响。
英诺赛科方面表示，其现有GaN功率产品将继续向美国及全球客户正常供应。
资料显示，英飞凌与英诺赛科的专利纠纷自2024年爆发，涉及多起诉讼、专利无效挑战及ITC调查，覆盖美国、中国等市场。2024年3月，英飞凌在美国加利福尼亚州北区地方法院起诉英诺赛科侵犯其多项GaN功率半导体专利，随后英飞凌向ITC申请“337调查”，要求禁止英诺赛科产品进入美国市场。随着美国国际贸易委员会（ITC）作出最终裁定，英诺赛科在美国市场的业务不受英飞凌专利诉讼的实质性影响，可继续正常开展业务。
中国市场方面，2026年4月24日，北京知识产权法院作出判决，全面维持英诺赛科两项氮化镓技术核心发明专利（ZL202311774650.7和ZL202211387983.X）的有效性，驳回了英飞凌的无效诉讼请求。这两项专利是英诺赛科在国内起诉英飞凌专利侵权的涉案专利，此次判决进一步巩固了英诺赛科在国内的知识产权保护。
资料显示，英诺赛科是一家全球氮化镓工艺及功率器件制造商，产品覆盖15V至1200V的氮化镓工艺节点，包括晶圆、分立器件、集成功率集成电路（IC）及模组。英诺赛科表示，凭借已授权及申请中的专利布局，公司产品以高可靠性、性能与功能优势，服务于消费电子、汽车电子、数据中心、可再生能源及工业电源领域应用。
（集邦化合物半导体整理）
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