英诺赛科Q1收入1.5亿,同比增长3倍!

作者 | 发布日期 2023 年 04 月 17 日 17:47 | 分类 氮化镓GaN

4月14日,英诺赛科官方消息披露,央视二套正点财经栏目上个月聚焦消费电子市场动态,重点报道了GaN氮化镓快充,对GaN材料的应用与普及进行了介绍,并采访了小米和英诺赛科。

英诺赛科2023年一季度涨势迅猛

在采访中,英诺赛科表示,快充的普及带动了GaN产业快速发展,2022年全年英诺赛科的业务同比2021年增长了300%。出货量来看,根据2022年12月外媒消息显示,英诺赛科的8英寸硅基GaN器件出货量已突破1亿颗。

值得注意的是,2023年出货量增势迅猛,Q1就已经突破了5000万颗(累计超1.5亿颗),销售额达1.5亿,是去年同期的4倍。这意味着,无论从出货量还是销售收入来看,今年英诺赛科不仅延续了2022年持续增长的态势,还实现了更为强劲的增长。

根据TrendForce集邦咨询《2023第三代半导体功率应用市场分析报告》显示,硅基GaN功率元件具备高频率、低开关损耗、极佳的成本优势等优点,已率先在消费电子市场放量,2022年,英诺赛科将GaN技术引入手机内部充电保护,为市场注入了新的活力,而纳微Navitas和GaN Systems产品也进入了Samsung旗舰手机快速充电器,头部厂商对市场的积极开拓,带动GaN进一步渗透消费快充市场。

但从另一个角度来看,GaN目前的主要舞台还是在消费电子市场,而这个市场未来必然进入成熟和饱和的阶段,意味着GaN在消费电子市场的增量空间将不断缩小。与此同时,GaN在功率半导体市场的发展不如预期,在2023年之前,整体市场拓展没有取得突破性的成果,也因此,供应链、终端应用、投资市场或多或少都出现了一些质疑的声音。

然而,2023年,这一局势出现了一些变化。

GaN功率应用市场期待值拉满

2023年3月,英飞凌收购GaN Systems一事打破了GaN领域相对的平静。消息公布之后,英飞凌在媒体沟通会上表示看好GaN市场的发展,英飞凌认为,未来GaN的全球使用量将会大大超过SiC,并且在多个领域取代SiC的应用,尤其是到了2030年。

综合考虑英飞凌在功率半导体市场的地位以及GaN Systems在汽车应用的先发优势,GaN在功率半导体市场的期待值由此再被拉高,英飞凌强化GaN布局的坚定之举也在一定程度上为GaN在消费电子以外的市场注入了一剂强心针。

除此之外,Transphorm、PI等的发展也传递了积极的信号。

作为GaN高电压功率转换技术领先厂商,Transphorm的布局早已覆盖汽车、数据中心、通讯基站、光伏储能等高功率应用领域。从业绩来看,2022年,Transphorm的高功率GaN收入占比就已超过了70%,今年表现可期。

在汽车应用领域,Transphorm是首家通过AEC-Q车规级认证的GaN企业,拥有丰富的车规级GaN产品,并与Tier 1厂商马瑞利达成了合作,范围涵盖主逆变器、车载充电器和DC-DC转换器等。值得一提的是,马瑞利正在联合意大利都灵理工大学开发900V GaN多电平高功率电力牵引逆变器,加速900V车用GaN的到来。

今年,900V车用GaN产品开发传来了好消息。电源管理IC供应商Power Integrations(PI)3月发布900V GaN产品。从一开始的650V硅器件,到后来的750V GaN器件,再把GaN产品扩展到900V,PI将更好地满足汽车、家电及工业类应用的需求。

除了企业动态之外,GaN市场的活力在今年举办的相关展会上也有迹可循。无论是亚洲充电展(ACE),还是美国国际电力电子应用展览会(APEC),一方面,GaN参展商增多了;另一方面,GaN企业的展品覆盖消费电子、数据中心、汽车电子、新能源等应用领域。

综上可见,GaN的应用范围正在随着性能的提升而扩大,也将在头部厂商的大力推动下加速打开高功率半导体市场,未来值得期待。

英诺赛科丰富产品线“备战”高功率市场

作为目前唯一一家8英寸硅基GaN IDM企业,英诺赛科在快充业务快速发展的同时,英诺赛科也在加大对其他应用市场的布局。

据悉,依托8英寸硅基GaN IDM全产业链的优势,英诺赛科全面升级了40V/100V/150V低压平台,并相继发布40V双向导通产品、100V半桥驱动合封产品等多系列产品,为拓展汽车、数据中心、工业与新能源等领域做好充分的准备。

在汽车领域,英诺赛科的车规级GaN产品已导入车载激光雷达,获得国内头部企业采用,并实现量产;此外,英诺赛科也同步布局逆变器、车载充电器及DC-DC转换器应用。2022年,英诺赛科已开始联合国内及韩国的大型Tier 1厂商共同研发GaN车用项目。

数据中心方面,英诺赛科在今年的亚洲充电展上便介绍了全链路GaN数据中心解决方案,据称可帮助数据中心供电系统减少50%的损耗。其在现场展示了采用InnoGaN 设计的全套方案,包括钛金级2KW PSU,48V-12V 600W/1000W 电源模块等。

简单来说,英诺赛科目前可为数据中心行业提供从前端PSU电源到主板DC/DC模块以及芯片的直接供电,助力提高供电链路的功率密度和效率,实现供电转换损耗整体降低50%。

产能方面,英诺赛科目前产能可达10000片/月,到2025年,珠海和苏州两大基地的月产能预计可达70000片左右。就汽车应用来看,珠海工厂已通过汽车认证,预计将在2024年生产用于汽车应用的8英寸硅基GaN器件。(文:集邦化合物半导体Jenny)

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