英诺赛科2023年累计出货量超5亿颗

作者 | 发布日期 2024 年 02 月 18 日 18:06 | 分类 氮化镓GaN

2024年已过去一个半月,第三代半导体领域相关厂商也相继公布了过去2023年的发展成果。2月7日,英诺赛科便公布了2023年在出货量、新品开发、技术研发、应用创新、市场开拓、品质保障等取得的成果,各方面表现有些看点。

硅基GaN芯片累计出货量超5亿颗

从出货量来看,英诺赛科截至2023年8月出货量已累计突破3亿颗,结合全年总出货量可见下半年业务拓展保持积极向上的态势。目前,英诺赛科尚未透露业绩相关数据,按照上半年销售额增长500%的趋势来看,全年销售额值得期待。

从新品开发成果来看,英诺赛科2023年高压和低压维度均有新的突破。例如,高压GaN推出了700V产品;针对服务器、光伏等高功率市场推出了650V 30mΩ/ 50mΩ/ 70mΩ 产品;还新增了TO252高压GaN封装,为拓展更多应用场景做准备。低压产品则发布了100V VGaN-INV100FQ030A,支持48V BMS应用。另外,合封芯片SolidGaN系列成功实现量产,主要集成了100V ISG3201和700V ISG610X。

另值得关注的是,英诺赛科2021年量产了自研双向导通VGaN产品并导入OPPO手机,成为当时全球首款导入智能手机内部电源开关领域的GaN芯片。目前,除了OPPO之外,Vivo、联想、一加、Realme、摩托罗拉等智能手机内部电源管理均采用VGaN实现充电保护。

2024年2月12日消息显示,英诺赛科VGaN产品线新增了一款100V GaN芯片。该产品适配48V/60V电池管理系统、双向转换器中的高压侧负载开关以及电源系统中的开关电路。据英诺赛科介绍,1颗100V VGaN芯片可替代2颗相连的Si MOSFET,帮助电池管理系统尺寸缩小33%,目前该产品已量产。

新品新技术的研发是英诺赛科提升综合竞争力的关键发力点,2023年11月,其正式在苏州启用了全球研发中心,该研发中心目标是成为新型宽禁带半导体材料与器件研发基地,同时开展大规模量产化工程问题研究,可以预见,未来将有更多新技术新品在此诞生、量产。

按照英诺赛科披露,目前公司市占率达30%以上,位居全球第一。

GaN市场格局已变,新年能否有新气象?

目前,英诺赛科、纳微等GaN主要玩家2023年的业绩均尚未披露,已经披露的厂商中,Power Integrations(PI)2023年实现净营收4.445亿美元(约合人民币近32亿元),同比下降31.7%。
从市占率来看,根据TrendForce集邦咨询 《2023全球GaN功率半导体市场分析报告》显示,以GaN功率元件业务营收来观察,2022年PI排名第一,其他依次是纳微、英诺赛科、EPC、GaN Systems、Transphorm等。

不过,自2023年开始,市场竞争格局已经开始发生变化,全球十大厂商的市场份额也将相应发生改变。以英诺赛科为例,若根据其披露的数据来看,该公司的市占率将跃居全球第一。而GaN Systems已经并入Infineon,双方在2022年合计市占率约为15%。2023年市占率有机会扩大。Transphorm也已经被瑞萨收购,未来发展情况有待继续观察。

总的来说,从竞争格局来看,经过部分厂商的整合、业务结构的改变等,2024年GaN市场有望出现新的气象。从长期的市场行情来看,虽然消费电子仍然是GaN领域的主要增长引擎,但2023年以来,GaN技术已经进一步切入了光储充、车载激光雷达等更高功率的应用市场,预计在2025年前后有望小批量地渗透到低功率OBC和DC-DC中,换句话来说,新机遇正在酝酿中。(文:集邦化合物半导体Jenny)

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