2024年已过去一个半月，第三代半导体领域相关厂商也相继公布了过去2023年的发展成果。2月7日，英诺赛科便公布了2023年在出货量、新品开发、技术研发、应用创新、市场开拓、品质保障等取得的成果，各方面表现有些看点。
硅基GaN芯片累计出货量超5亿颗
从出货量来看，英诺赛科截至2023年8月出货量已累计突破3亿颗，结合全年总出货量可见下半年业务拓展保持积极向上的态势。目前，英诺赛科尚未透露业绩相关数据，按照上半年销售额增长500%的趋势来看，全年销售额值得期待。
从新品开发成果来看，英诺赛科2023年高压和低压维度均有新的突破。例如，高压GaN推出了700V产品；针对服务器、光伏等高功率市场推出了650V 30mΩ/ 50mΩ/ 70mΩ 产品；还新增了TO252高压GaN封装，为拓展更多应用场景做准备。低压产品则发布了100V VGaN-INV100FQ030A，支持48V BMS应用。另外，合封芯片SolidGaN系列成功实现量产，主要集成了100V ISG3201和700V ISG610X。
另值得关注的是，英诺赛科2021年量产了自研双向导通VGaN产品并导入OPPO手机，成为当时全球首款导入智能手机内部电源开关领域的GaN芯片。目前，除了OPPO之外，Vivo、联想、一加、Realme、摩托罗拉等智能手机内部电源管理均采用VGaN实现充电保护。
2024年2月12日消息显示，英诺赛科VGaN产品线新增了一款100V GaN芯片。该产品适配48V/60V电池管理系统、双向转换器中的高压侧负载开关以及电源系统中的开关电路。据英诺赛科介绍，1颗100V VGaN芯片可替代2颗相连的Si MOSFET，帮助电池管理系统尺寸缩小33%，目前该产品已量产。
新品新技术的研发是英诺赛科提升综合竞争力的关键发力点，2023年11月，其正式在苏州启用了全球研发中心，该研发中心目标是成为新型宽禁带半导体材料与器件研发基地，同时开展大规模量产化工程问题研究，可以预见，未来将有更多新技术新品在此诞生、量产。
按照英诺赛科披露，目前公司市占率达30%以上，位居全球第一。
GaN市场格局已变，新年能否有新气象？
目前，英诺赛科、纳微等GaN主要玩家2023年的业绩均尚未披露，已经披露的厂商中，Power Integrations（PI）2023年实现净营收4.445亿美元（约合人民币近32亿元），同比下降31.7%。
从市占率来看，根据TrendForce集邦咨询 《2023全球GaN功率半导体市场分析报告》显示，以GaN功率元件业务营收来观察，2022年PI排名第一，其他依次是纳微、英诺赛科、EPC、GaN Systems、Transphorm等。
不过，自2023年开始，市场竞争格局已经开始发生变化，全球十大厂商的市场份额也将相应发生改变。以英诺赛科为例，若根据其披露的数据来看，该公司的市占率将跃居全球第一。而GaN Systems已经并入Infineon，双方在2022年合计市占率约为15%。2023年市占率有机会扩大。Transphorm也已经被瑞萨收购，未来发展情况有待继续观察。
总的来说，从竞争格局来看，经过部分厂商的整合、业务结构的改变等，2024年GaN市场有望出现新的气象。从长期的市场行情来看，虽然消费电子仍然是GaN领域的主要增长引擎，但2023年以来，GaN技术已经进一步切入了光储充、车载激光雷达等更高功率的应用市场，预计在2025年前后有望小批量地渗透到低功率OBC和DC-DC中，换句话来说，新机遇正在酝酿中。（文：集邦化合物半导体Jenny）
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