碳化硅作为第三代半导体材料的核心代表,正以其耐高压、高频、高效等特性重塑全球功率半导体产业发展格局,吸引各国争相投入研发。中国碳化硅技术研发进展顺利,近期,两项碳化硅技术迎来新突破。
1、连科半导体八吋硅区熔炉及碳化硅电阻炉成果鉴定达到国际领先水平
“连城数控”官微消息,近期,中...  [详内文]
国内两项碳化硅技术迎突破 |
作者 KikiWang|发布日期 2025 年 04 月 29 日 15:41 | 分类 企业 , 碳化硅SiC |