近日,国家第三代半导体技术创新中心深圳平台(深圳平湖实验室)宣布在碳化硅衬底加工领域取得里程碑式进展。该团队自主研发的全自动化激光剥离系统,成功将碳化硅衬底单片切割损耗从传统工艺的280-300微米降至75微米以下,单片成本降低26%,技术水平达到国际先进。
在第三代半导体材料产...  [详内文]
我国碳化硅激光剥离技术实现重大突破,单片切割损耗降至75微米以下 |
作者 KikiWang|发布日期 2025 年 07 月 10 日 14:14 | 分类 碳化硅SiC |